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资料编号:317821
 
资料名称:IRF7811AV
 
文件大小: 132.52K
   
说明
 
介绍:
N-Channel Application-Specific MOSFETs
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
www.irf.com2
IRF7811AV
注释:
repetitive 比率; 脉冲波 宽度 限制 用 最大值 接合面 温度.
脉冲波 宽度
400 µs; 职责 循环
2%.
当 挂载 在 1 inch 正方形的 铜 板, t < 10 秒.
典型值 = 量过的 - q
oss

典型 值 的 r
DS
(在) 量过的 在 v
GS
= 4.5v, q
G
, q
SW
和 q
OSS
量过的 在 v
GS
=5.0v, i
F
= 15a.

θ


电的 特性
参数 标识 最小值 典型值 最大值 单位
流-至-源 损坏 电压
V
(br)dss
30 ––– ––– V
静态的 流-至-源 在-阻抗
R
ds(在)
––– 11 14
m
门 门槛 电压
V
gs(th)
1.0 ––– 3.0 V
––– ––– 50 µA
––– ––– 20 µA
––– ––– 100 毫安
门-至-源 泄漏 电流
I
GSS
––– ––– ±100 nA
总的 门 承担, 控制 场效应晶体管
Q
g
––– 17 26 nC
总的 门 承担, synch 场效应晶体管
Q
g
––– 14 21
V
GS
= 5.0v, v
DS
< 100mv
前-vth 门-至-源 承担
Q
gs1
––– 3.4 –––
邮递-vth 门-至-源 承担
Q
gs2
––– 1.6 –––
门-至-流 ("miller") 承担
Q
gd
––– 5.1 –––
转变 承担 (q
gs2
+ q
gd
)q
SW
––– 6.7 –––
输出 承担
Q
OSS
––– 8.1 12
V
DS
= 16v, v
GS
= 0
门 阻抗
R
G
0.5 ––– 4.4
转变-在 延迟 时间
t
d(在)
––– 8.6 ––– ns
上升 时间
t
r
––– 21 –––
转变-止 延迟 时间
t
d(止)
––– 43 –––
下降 时间
t
f
––– 10 –––
输入 电容
C
iss
––– 1801 ––– pF
输出 电容
C
oss
––– 723 –––
反转 转移 电容
C
rss
––– 46 –––
二极管 特性
参数 标识 最小值 典型值 最大值 单位
二极管 向前 电压
V
SD
––– ––– 1.3 V
反转 恢复 承担
(和 并行的 schottsky)
f
V
DS
= v
GS
, i
D
= 250µa
V
DS
= 30v, v
GS
= 0v
V
GS
= ± 20v
V
DS
= 24v, i
D
= 15a, v
GS
= 5.0v
V
DS
= 24v, v
GS
= 0v
情况
V
GS
= 0v, i
D
= 250µa
V
GS
= 4.5v, i
D
= 15a
d
di/dt = 700a/µs , (和 10bq040)
V
DD
= 16v, v
GS
= 0v, i
D
= 15a
V
GS
= 5.0v
V
DD
= 16v
I
D
= 15a
clamped inductive 加载
di/dt = 700a/µs
V
DD
= 16v, v
GS
= 0v, i
D
= 15a
T
J
= 25°c, i
S
= 15a
d
,v
GS
= 0v
V
DS
= 24v, v
GS
= 0v, t
J
= 100°c
V
GS
= 0v
V
DS
= 10v
情况
流-至-源 泄漏 电流
I
DSS
V
DS
= 16v, i
D
= 15a
Q
rr
––– 43 ––– nC
nC–––50–––
Q
rr
反转 恢复 承担
f
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