IRF7811W
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参数 最小值 典型值 最大值 单位 情况
二极管 向前 V
SD
1.25 V I
S
= 15a
, v
GS
= 0v
Voltage*
反转 恢复 Q
rr
45 nC di/dt
~
700a/µs
V
DS
= 16v, v
GS
= 0v, i
S
= 15a
反转 恢复 Q
rr(s)
41 nC di/dt = 700a/µs
承担 (和 并行的 (和 10bq040)
肖特基)
V
DS
= 16v, v
GS
= 0v, i
S
= 15a
源-流 比率 &放大; 特性
承担
注释:
repetitive 比率; 脉冲波 宽度 限制 用 最大值 接合面 温度.
脉冲波 宽度
≤
400 µs; 职责 循环
≤
2%.
当 挂载 在 1 inch 正方形的 铜 板
典型值 = 量过的 - q
oss
典型 值 的 r
DS
(在) 量过的 在 v
GS
= 4.5v, q
G
, q
SW
和 q
OSS
量过的 在 v
GS
= 5.0v, i
F
= 15a.
参数 最小值 典型值 最大值 单位 情况
流-至-源 BV
DSS
30 – – V V
GS
= 0v, i
D
= 250µa
损坏 电压
静态的 流-源 R
DS
(在)
9.0 12 m
Ω
V
GS
= 4.5v, i
D
= 15a
在 阻抗
门 门槛 电压 V
gs(th)
1.0 V V
DS
= v
GS
,i
D
= 250µa
流-源 泄漏 I
DSS
30 V
DS
= 24v, v
GS
= 0
Current*
150 µA V
DS
= 24v, v
GS
= 0,
tj = 100°c
门-源 泄漏 I
GSS
±100 nA V
GS
= ±12v
电流
总的 门 chg 内容 场效应晶体管 Q
G
18 24 V
GS
=5.0v, i
D
=15a, v
DS
=16V
总的 门 chg 同步 场效应晶体管 Q
G
15.6 V
GS
= 5v, v
DS
< 100mv
前-vth Q
GS1
6.0 V
DS
= 16v, i
D
= 15a
门-源 承担
邮递-vth Q
GS2
1.4 nC
门-源 承担
门 至 流 承担 Q
GD
4.1
转变 chg(q
gs2
+ q
gd
) q
sw
5.5
输出 承担 Q
oss
12 V
DS
= 16v, v
GS
= 0
门 阻抗 R
G
2.0
Ω
转变-在 延迟 时间 t
d (在)
11 V
DD
= 16v, i
D
= 15a
上升 时间 t
r
11 ns v
GS
= 5.0v
转变-止 延迟 时间 t
d
(止)
29 clamped inductive 加载
下降 时间 t
f
9.9
输入 电容 C
iss
– 2335 –
输出 电容 C
oss
– 400 – pF V
DS
= 16v, v
GS
= 0
反转 转移 电容 C
rss
– 119 –
电的 特性
电流
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