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资料编号:317835
 
资料名称:IRF7910
 
文件大小: 122.33K
   
说明
 
介绍:
HEXFET Power MOSFET
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
IRF7910
6 www.irf.com
图 13.
在-阻抗 vs. 门 电压
图 12.
在-阻抗 vs. 流 电流
图 14a&放大;b.
基本 门 承担 测试 电路
和 波形
图 15a&放大;b.
unclamped inductive 测试 电路
和 波形
图 15c.
最大 avalanche 活力
vs. 流 电流
d.u.t.
V
DS
I
D
I
G
3mA
V
GS
.3
µ
F
50K
.2
µ
F
12V
电流 调整器
一样 类型 d.u.t.
电流 抽样 电阻器
+
-

Q
G
Q
GS
Q
GD
V
G
承担
t
p
V
(br)dss
I
R
G
I
0.01
t
p
d.u.t
L
V
DS
+
-
V
DD
驱动器
一个
15V
20V
25 50 75 100 125 150
0
50
100
150
200
250
开始 t , 接合面 温度 ( c)
e , 单独的 脉冲波 avalanche 活力 (mj)
J
°
I
D
BOTTOM
3.6a
6.4a
8.0a
0 20406080100
I
D
, 流 电流 (一个)
0.0120
0.0125
0.0130
0.0135
0.0140
0.0145
R
D
S
(
o
n
)
,
D
r
一个
i
n
-
t
o
-
S
o
u
r
c
e
O
n
R
e
s
i
s
t
一个
n
c
e
(
)
V
GS
= 4.5v
2. 5 3.5 4. 5 5.5
V
GS ,
门 -至 -source voltage (v)
0. 010
0. 013
0. 015
0. 018
0. 020
R
D
S
(
o
n
)
,
D
r
一个
i
n
-
t
o
-
S
o
u
r
c
e
O
n
R
e
s
i
s
t
一个
n
c
e
(
)
I
D
= 8.0a
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