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资料编号:318034
 
资料名称:IRF820A
 
文件大小: 100.33K
   
说明
 
介绍:
Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)max=3.0ohm, Id=2.5A)
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
IRF820A
2 www.irf.com
参数 最小值 典型值 最大值 单位
情况
g
fs
向前 跨导 1.4 ––– ––– S V
DS
= 50v, i
D
= 1.5a
Q
g
总的 门 承担 ––– ––– 17 i
D
= 2.5a
Q
gs
门-至-源 承担 ––– ––– 4.3 nC V
DS
= 400v
Q
gd
门-至-流 ("miller") 承担 ––– ––– 8.5 V
GS
= 10v, 看 图. 6 和 13
t
d(在)
转变-在 延迟 时间 ––– 8.1 ––– V
DD
= 250v
t
r
上升 时间 ––– 12 ––– I
D
= 2.5a
t
d(止)
转变-止 延迟 时间 ––– 16 ––– R
G
= 21
t
f
下降 时间 ––– 13 ––– R
D
= 97
,看 图. 10

C
iss
输入 电容 ––– 340 ––– V
GS
= 0v
C
oss
输出 电容 ––– 53 ––– V
DS
= 25v
C
rss
反转 转移 电容 ––– 2.7 ––– pF ƒ = 1.0mhz, 看 图. 5
C
oss
输出 电容 ––– 490 ––– V
GS
= 0v, v
DS
= 1.0v, ƒ = 1.0mhz
C
oss
输出 电容 ––– 15 ––– V
GS
= 0v, v
DS
= 400v, ƒ = 1.0mhz
C
oss
eff. 有效的 输出 电容 ––– 28 ––– V
GS
= 0v, v
DS
= 0v 至 400v
动态 @ t
J
= 25°c (除非 否则 指定)
ns
参数 典型值 最大值 单位
E
单独的 脉冲波 avalanche 活力
––– 140 mJ
I
AR
avalanche 电流
––– 2.5 一个
E
AR
repetitive avalanche 活力
––– 5.0 mJ
avalanche 特性
S
D
G
参数 最小值 典型值 最大值 单位
情况
I
S
持续的 源 电流 场效应晶体管 标识
(身体 二极管)
––– –––
表明 这
I
SM
搏动 源 电流 integral 反转
(身体 二极管)
––– –––
p-n 接合面 二极管.
V
SD
二极管 向前 电压 ––– ––– 1.6 V T
J
= 25°c, i
S
= 2.5a, v
GS
= 0v

t
rr
反转 恢复 时间 ––– 330 500 ns T
J
= 25°c, i
F
= 2.5a
Q
rr
反转 recoverycharge ––– 760 1140 nC di/dt = 100a/µs
t
向前 转变-在 时间 intrinsic 转变-在 时间 是 negligible (转变-在 是 dominated 用 l
S
+L
D
)
二极管 特性
2.5
10
一个
参数 典型值 最大值 单位
R
θ
JC
接合面-至-情况 ––– 2.5
R
θ
CS
情况-至-下沉, flat, greased 表面 0.50 ––– °c/w
R
θ
JA
接合面-至-包围的 ––– 62
热的 阻抗
静态的 @ t
J
= 25°c (除非 否则 指定)
参数 最小值 典型值 最大值 单位
情况
V
(br)dss
流-至-源 损坏 电压 500 ––– ––– V V
GS
= 0v, i
D
= 250µa
V
(br)dss
/
T
J
损坏 电压 温度 系数
––– 0.60 ––– v/°c 涉及 至 25°c, i
D
= 1ma
R
ds(在)
静态的 流-至-源 在-阻抗 ––– ––– 3.0
V
GS
= 10v, i
D
= 1.5a

V
gs(th)
门 门槛 电压 2.0 ––– 4.5 V V
DS
= v
GS
, i
D
= 250µa
––– ––– 25
µA
V
DS
= 500v, v
GS
= 0v
––– ––– 250 V
DS
= 400v, v
GS
= 0v, t
J
= 125°c
门-至-源 向前 泄漏 ––– ––– 100 V
GS
= 30v
门-至-源 反转 泄漏 ––– ––– -100
nA
V
GS
= -30v
I
GSS
I
DSS
流-至-源 泄漏 电流
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