bay 直线的, inc
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IRF830
电的 特性 (
T
C
= 25
°
°°
°
c 除非 否则 指定)
标识 参数 情况最小值 典型值 最大值 单位
V
(br)dss
流-至-源 损坏
电压
V
GS
= 0v, i
D
= 250
µ
一个
500
V
V
(br)dss
/
∆
∆∆
∆
T
J
损坏 电压
温度 系数
涉及 至 25
°
c,
I
D
= 1ma
- 0.61-
v/
°
°°
°
C
I
d(在)
在-状态 流 电流
(便条 2)
V
GS
>
I
d(在)
x r
ds(在)
最大值
4.5
一个
R
ds(在)
静态的 流-至-源
在-阻抗
V
GS
=10v, i
D
= 2.7a
(便条 4)
1.5
Ω
ΩΩ
Ω
V
gs(th)
门 门槛 电压
V
DS
=
V
gs,
I
D
=
250
µ
一个
2.0 -4.0
V
g
fs
向前 跨导
V
DS
=
50v, i
D
=
2.7a
2.5 - -
S
V
DS
=
500v, v
GS
=
0v 25
I
DSS
流-至-源 泄漏
电流
V
DS
= 400v, v
GS
= 0v,
T
C
= 125
°
C
- -
250
µ
µµ
µ
一个
门-至-源 向前
泄漏
V
GS
= 20v 100
I
GSS
门-至-源 反转
泄漏
V
G
= -20v
- -
-100
nA
Q
g
总的 门 承担 I
D
=3.1a - - 38
Q
qs
门-至-源 承担 V
DS
= 400v - - 5.0
Q
gd
门-至-流 (“miller”)
承担
V
GS
= 10v (便条 4) 22
nC
t
d ( 在)
转变-在 延迟 时间 - 8.2 -
T
r
上升 时间 - 16 -
t
d (止)
转变 -止 延迟 时间 - 42 -
T
f
下降 时间
V
DD
= 250v
I
D
= 3.1.1a
R
G
= 12
Ω
R
D
= 79
Ω
(便条 4)
- 16-
ns
L
D
内部的 流 电感 - 4.5
-
L
S
内部的 源 电感
在 含铅的 6mm (0.25in.)
从 包装 和 中心 或者 消逝
联系
- 7.5-
nH
C
iss
输入 电容 - 610 -
C
oss
输出 电容 - 160 -
C
rss
反转 转移 电容
V
GS
= 0v
V
DS
= 25v
f = 1.0mhz
- 68-
pF
源-流 比率 特性
标识 参数 情况 最小值 典型值 最大值 单位
I
S
持续的 源 电流
(身体 二极管)
- - 4.5
I
SM
搏动 源 电流
(身体 二极管) (便条 1)
场效应晶体管 标识 表明 这
integral 反转 p-n 接合面
二极管.
- - 18
一个
V
SD
二极管 向前 电压 (便条 4)
T
J
=25
°
C
,
I
S
=2.5a,v
GS
=DV
- - 1.6
V
t
rr
反转 恢复 时间 - 320 640
ns
Q
rr
反转 恢复 承担
T
J
=25
°
c, i
F
=2.1a
di/dt=100a/
µ
s (便条 4)
- 1.0 2.0
µ
µµ
µ
C
t
在
向前 转变-在 时间 intrinsic 转变-在 时间 是 negligible (转变-在 是 dominated 用 (l
S
+L
D
)
注释: 1. repetitive 比率; 脉冲波 宽度 限制 用 最大值 接合面 温度.
2. v
DD
= 50v, 开始 tj = 25
°
c, l = 24 mh r
G
= 25
Ω
, i
作
= 4.5a
3. i
SD
≤
4.5a, di/dt
≤
75a/
µ
s, v
DD
≤
V
(br)dss
, t
j
≤
150
°
C
4. 脉冲波 和
≤
300
µ
s; 职责 循环
≤
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