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资料编号:318345
资料名称:
MRF8372
文件大小: 101.2K
说明
:
介绍
:
RF LOW POWER TRANSISTOR NPN SILICON
: 点此下载
1
2
3
4
5
6
本平台电子爱好着纯手工中文简译:
截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
mrf8372r1, r2
2
motorola rf 设备 数据
电的 特性
(t
C
= 25
°
c 除非 否则 指出.)
典型的
标识
最小值
Ty
p
最大值
单位
止 特性
collector–emitter 损坏 电压
(i
C
= 5.0 madc, i
B
= 0)
V
(br)ceo
16
—
—
Vdc
collector–emitter 损坏 电压
(i
C
= 5.0 madc, v
是
= 0)
V
(br)ces
36
—
—
Vdc
emitter–base 损坏 电压
(i
E
= 0.1 madc, i
C
= 0)
V
(br)ebo
4.0
—
—
Vdc
集电级 截止 电流
(v
CE
= 15 vdc, v
是
= 0, t
C
= 25
°
c)
I
CES
—
—
0.1
mAdc
在 特性
直流 电流 增益
(i
C
= 50 madc, v
CE
= 10 vdc)
h
FE
30
90
200
—
动态 特性
输出 电容
(v
CB
= 15 vdc, i
E
= 0, f = 1.0 mhz)
C
ob
—
1.8
2.5
pF
函数的 tests
common–emitter 放大器 电源 增益
(v
CC
= 12.5 vdc, p
输出
= 0.75 w, f = 870 mhz)
G
pe
8.0
10
—
dB
集电级 效率
(v
CC
= 12.5 vdc, p
输出
= 0.75 w, f = 870 mhz)
η
55
60
—
%
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