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资料编号:318345
 
资料名称:MRF8372
 
文件大小: 101.2K
   
说明
 
介绍:
RF LOW POWER TRANSISTOR NPN SILICON
 
 


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mrf8372r1, r2
2
motorola rf 设备 数据
电的 特性
(t
C
= 25
°
c 除非 否则 指出.)
典型的 标识 最小值 Typ 最大值 单位
止 特性
collector–emitter 损坏 电压
(i
C
= 5.0 madc, i
B
= 0)
V
(br)ceo
16 Vdc
collector–emitter 损坏 电压
(i
C
= 5.0 madc, v
= 0)
V
(br)ces
36 Vdc
emitter–base 损坏 电压
(i
E
= 0.1 madc, i
C
= 0)
V
(br)ebo
4.0 Vdc
集电级 截止 电流
(v
CE
= 15 vdc, v
= 0, t
C
= 25
°
c)
I
CES
0.1 mAdc
在 特性
直流 电流 增益
(i
C
= 50 madc, v
CE
= 10 vdc)
h
FE
30 90 200
动态 特性
输出 电容
(v
CB
= 15 vdc, i
E
= 0, f = 1.0 mhz)
C
ob
1.8 2.5 pF
函数的 tests
common–emitter 放大器 电源 增益
(v
CC
= 12.5 vdc, p
输出
= 0.75 w, f = 870 mhz)
G
pe
8.0 10 dB
集电级 效率
(v
CC
= 12.5 vdc, p
输出
= 0.75 w, f = 870 mhz)
η
55 60 %
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