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MRF840
motorola rf 设备 数据
这 rf 线条
NPN 硅
RF 电源 晶体管
. . . 设计为 12.5 voltuhf large–signal, common–base 放大器 applica-
tionsin industrial 一个nd commercial fm equipment operating in the range of
806–960 mhz.
•
指定 12.5 volt, 870 mhz 特性
输出 电源 = 10 watts
电源 增益 = 6.0 db 最小值
效率 = 50% 最小值
•
序列 相等的 large–signal 描绘
•
内部 matched 输入 为 broadband 运作
•
测试 为 加载 mismatch 压力 在 所有 阶段 angles 和 20:1 vswr @
15.5 volt 供应 和 50% rf overdrive
•
金 metallized, 发射级 ballasted 为 长 生命 和 阻抗 至 metal
Migration
•
硅 渗氮 钝化的
最大 比率
比率 标识 值 单位
collector–emitter 电压 V
CEO
16 Vdc
collector–base 电压 V
CBO
36 Vdc
emitter–base 电压 V
EBO
4.0 Vdc
集电级 电流 — 持续的 I
C
3.8 模数转换器
总的 设备 消耗 @ t
C
= 25
°
c (1)
减额 在之上 25
°
C
P
D
40
0.32
Watts
w/
°
C
存储 温度 范围 T
stg
–65 至 +150
°
C
热的 特性
典型的 标识 最大值 单位
热的 阻抗, 接合面 至 情况 (2) R
θ
JC
3.1
°
c/w
电的 特性
(t
C
= 25
°
c 除非 否则 指出.)
典型的
标识 最小值 典型值 最大值 单位
止 特性
collector–emitter 损坏 电压
(i
C
= 50 madc, i
B
= 0)
V
(br)ceo
16 — — Vdc
collector–emitter 损坏 电压
(i
C
= 50 madc, v
是
= 0)
V
(br)ces
36 — — Vdc
emitter–base 损坏 电压
(i
E
= 5.0 madc, i
C
= 0)
V
(br)ebo
4.0 — — Vdc
集电级 截止 电流
(v
CB
= 15 vdc, i
E
= 0)
I
CBO
— — 2.0 mAdc
注释: (持续)
1. 这个设备 是 设计 为 rf 运作. 这 总的 设备 消耗 比率 应用 仅有的 当 这 设备 是 运作 作一个 rf 放大器.
2. 热的阻抗 是 决定 下面 指定 rf 运行 情况 用 infrared 度量 技巧.
顺序 这个 文档
用 mrf840/d
MOTOROLA
半导体 技术的 数据
MRF840
10 w, 870 mhz
rf 电源
晶体管
npn 硅
情况 319–07, 样式 1
motorola, 公司 1994
rev 6
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