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MRF847
motorola rf 设备 数据
这 rf 线条
NPN 硅
RF 电源 晶体管
. . . 设计 为 12.5 volt uhf large–signal,
common–base
放大器 applica-
tionsin industrial 一个nd commercial fm equipment operating in the range of
806–960 mhz.
•
指定 12.5 volt, 870 mhz 特性
输出 电源 = 45 watts
电源 增益 = 4.5 db 最小值
效率 = 60% 最小值
•
序列 相等的 large–signal 描绘
•
内部 matched 输入 为 broadband 运作
•
测试 为 加载 mismatch 压力 在 所有 阶段 angles 和 10:1 vswr @
高 线条 和 评估 驱动
•
金 metallized, 发射级 ballasted 为 长 生命 和 阻抗 至 metal
Migration
•
硅 渗氮 钝化的
最大 比率
比率 标识 值 单位
collector–emitter 电压 V
CEO
16.5 Vdc
collector–base 电压 V
CBO
38 Vdc
emitter–base 电压 V
EBO
4.0 Vdc
集电级 电流 — 持续的 I
C
12 模数转换器
总的 设备 消耗 @ t
一个
= 25
°
C
减额 在之上 25
°
C
P
D
150
0.85
Watts
w/
°
C
存储 温度 范围 T
stg
–65 至 +150
°
C
接合面 温度 T
J
200
°
C
热的 特性
典型的 标识 最大值 单位
热的 阻抗, 接合面 至 情况 R
θ
JC
1.17
°
c/w
电的 特性
(t
C
= 25
°
c 除非 否则 指出.)
典型的
标识 最小值 典型值 最大值 单位
止 特性
emitter–base 损坏 电压
(i
E
= 5.0 madc, i
C
= 0)
V
(br)ebo
4.0 — — Vdc
collector–emitter 损坏 电压
(i
C
= 50 madc, i
B
= 0)
V
(br)ceo
16.5 — — Vdc
collector–emitter 损坏 电压
(i
C
= 50 madc, v
是
= 0)
V
(br)ces
38 — — Vdc
集电级 截止 电流
(v
CE
= 15 vdc, v
是
= 0)
I
CES
— — 10 mAdc
(持续)
顺序 这个 文档
用 mrf847/d
MOTOROLA
半导体 技术的 数据
MRF847
45 w, 870 mhz
rf 电源
晶体管
npn 硅
情况 319–07, 样式 1
motorola, 公司 1994
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