1997 Apr 02 3
飞利浦 半导体 产品 规格
2048
×
8-位 cmos 可擦可编程只读存储器 和 i
2
c-总线
接口
pcf85116-3
1 特性
•
低 电源 cmos:
– 最大 运行 电流 1.0 毫安
– 最大 备用物品 电流 10
µ
一个 (在 5.5 v),
典型 4
µ
一个
•
非-易变的 存储 的 16 kbits 有组织的 作 第八
blocks 的 256
×
8-位 各自
•
单独的 供应 和 全部 运作 向下 至 2.7 V
•
在-碎片 电压 乘法器
•
串行 输入/输出 i
2
c-总线 (100 kbits/s 标准-模式
和 400 kbits/s 快-模式)
•
写 行动: multi 字节 写 模式 向上 至 32 字节
•
写-保护 输入
•
读 行动:
– sequential 读
– 随机的 读
•
内部的 计时器 为 writing (非 外部 组件)
•
电源-在-重置
•
高 可靠性 用 使用 redundant 可擦可编程只读存储器 cells
•
忍耐力: 1000000 擦掉/写 (e/w) 循环 在
T
amb
=22
°
C
•
20 年 非-易变的 数据 保持 时间 (最小)
•
管脚 和 地址 兼容 至 这 pcx85xxc-2 家族
(看 也 部分 2.1)
•
2 kv 静电释放 保护 (人 身体 模型).
2 描述
这 pcf85116-3 是 一个 16 kbits (2048
×
8-位) floating 门
用电气 可擦掉的 可编程序的 读 仅有的 记忆
(可擦可编程只读存储器). 用 使用 redundant 可擦可编程只读存储器 cells 它 是 故障
tolerant 至 单独的 位 errors. 在 大多数 具体情况 multi 位 errors
是 也 covered. 这个 特性 dramatically 增加
可靠性 对照的 至 常规的 可擦可编程只读存储器 memories.
电源 消耗量 是 低 预定的 至 这 全部 cmos
技术 使用. 这 程序编制 电压 是 发生
在-碎片, 使用 一个 电压 乘法器.
作 数据 字节 是 received 和 transmitted 通过 这 串行
I
2
c-总线, 一个 包装 使用 第八 管脚 是 sufficient. 仅有的 一个
pcf85116-3 设备 是 必需的 至 支持 所有 第八 blocks
的 256
×
8-位 各自.
定时 的 这 e/w 循环 是 carried 输出 内部, 因此 非
外部 组件 是 必需的. 一个 写-保护 输入
在 管脚 7 (wp) 准许 disabling 的 写-commands 从 这
主控 用 一个 硬件 信号. 当 管脚 7 是 高 这 数据
字节 received 将 不 是 acknowledged 用 这
pcf85116-3 和 这 可擦可编程只读存储器 内容 是 不 changed.
2.1 Remark
这 pcf85116-3 是 管脚 和 地址 兼容 至 这
pcx85xxc-2 家族. 这 pcf85116-3 覆盖 这 全部的
地址 空间 的 16 kbits; 地址 输入 是 非 变长
需要. 因此, 管脚 1 至 3 是 不 连接.
这 写-保护 输入 是 在 管脚 7.
3 快 涉及 数据
标识 参数 情况 最小值 最大值 单位
V
DD
供应 电压 2.7 5.5 V
I
DDR
供应 电流 读 f
SCL
= 400 khz; V
DD
= 5.5 V
−
1.0 毫安
I
DDW
供应 电流 e/w f
SCL
= 400 khz; V
DD
= 5.5 V
−
1.0 毫安
I
stb
备用物品 供应 电流 V
DD
= 2.7 V
−
6
µ
一个
V
DD
= 5.5 V
−
10
µ
一个
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