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资料编号:318642
 
资料名称:MRF858S
 
文件大小: 164.3K
   
说明
 
介绍:
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR
 
 


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mrf858 mrf858s
2
motorola rf 设备 数据
电的 特性 — 持续
典型的 标识 最小值 典型值 最大值 单位
在 特性
直流 电流 增益
(i
C
= 0.1 一个, v
CE
= 5 v)
h
FE
30 60 120
动态 特性
输出 电容
(v
CB
= 24 v, f = 1 mhz)
C
ob
6.5 8 pF
函数的 特性
common–emitter 电源 增益
(v
CE
= 24 v, i
C
= 0.5 一个, f = 840900 mhz,
电源 输出 = 3.6 w)
P
g
11 12 dB
加载 mismatch
(p
o
= 3.6 w)
(v
CE
= 24 v, i
C
= 0.5 一个, f = 840 mhz,
加载 vswr = 30:1, 所有 阶段 angles)
ψ
非 降级 在
输出 电源
rf 输入 overdrive
(v
CE
= 24 v, i
C
= 0.5 一个, f = 840 mhz)
非 降级
P
在(在)
0.85 W
第三 顺序 intercept 要点
(v
CE
= 24 v, i
C
= 0.5 一个)
(f1 = 900 mhz, f2 = 900.1 mhz,
meas. @ imd 3rd 顺序 = –40 dbc)
ITO +44.5 +45.5 dBm
噪音 图示
(v
CE
= 24 v, i
C
= 0.5 一个, f = 900 mhz)
NF 6 dB
输入 返回 丧失
(v
CE
= 24 v, i
C
= 0.5 一个, f = 840900 mhz,
电源 输出 = 3.6 w)
IRL 12 9 dB
表格 1. mrf858 一般 发射级 s–parameters
V
CE
(v)
I
C
(一个)
f
(mhz)
S
11
S
21
S
12
S
22
V
CE
(v)
I
C
(一个)
f
(mhz)
|S
11
|
∠
φ
|S
21
|
∠
φ
|S
12
|
∠
φ
|S
22
|
∠
φ
24 0.5 800
820
840
860
880
900
920
940
960
0.942
0.942
0.941
0.940
0.941
0.940
0.940
0.940
0.940
167
166
166
166
165
165
165
164
164
1.493
1.453
1.415
1.379
1.351
1.320
1.289
1.252
1.222
50
50
49
48
47
46
45
44
43
0.027
0.027
0.028
0.028
0.029
0.030
0.030
0.031
0.031
58
58
59
59
59
59
59
59
59
0.538
0.541
0.545
0.550
0.553
0.557
0.562
0.566
0.570
165
164
165
165
165
165
165
165
165
表格 2. z
和 z
OL
* 相比 频率
f
(mhz)
Z
(ohms)
Z
OL
*
(ohms)
840
870
900
1.1
1.1
1.2
2.9
3.5
3.5
9.9
9.5
9
14.4
14.6
14.5
V
CE
= 24 v, i
C
= 0.5 一个, p
o
= 3.6 w
Z
OL
* = conjugate 的 最佳的 加载 阻抗 在 这个 这 设备 运作 在 一个 给 输出 电源, 电压 和 频率.
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