PCF8582E-2_集成电路资料查询网

12月 1994 7
飞利浦 半导体 产品 规格
256 x 8-位 cmos eeproms
和 i
2
c-总线 接口
pcx8582x-2 家族
写 循环 限制
选择 的 这 碎片 地址 是 达到 用 连接 这 a0, a1 和 a2 输入 至 也 v
SS
或者 v
DD
.
标识 参数 情况 最小值 典型值 最大值 单位
擦掉/写 循环 定时
t
e/w
擦掉/写 循环 时间
内部的 振荡器
−
7
−
ms
外部 时钟 4
−
10 ms
忍耐力
N
e/w
擦掉/写 循环 每 字节
pcf8582c-2 T
amb
= 85
°
c; t
e/w
= 4 至 10 ms 100000
− −
循环
T
amb
= 22
°
c; t
e/w
= 5 ms 500000
− −
循环
pcd8582d-2 T
amb
=
−
25 至 +70
°
c;
t
e/w
= 4 至 10 ms
10000
− −
循环
T
amb
=
−
25 至 +40
°
c; t
e/w
= 5 ms 100000
− −
循环
pcf8582e-2 T
amb
=
−
40 至 +85
°
c;
t
e/w
= 4 至 10 ms
10000
− −
循环
T
amb
= 22
°
c; t
e/w
= 5 ms 100000
− −
循环
pca8582f-2 T
amb
= 125
°
c; t
e/w
= 4 至 10 ms 50000
− −
循环
T
amb
= 85
°
c; t
e/w
= 4 至 10 ms 100000
− −
循环
T
amb
= 22
°
c; t
e/w
= 5 ms 500000
− −
循环

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12月 1994 7 飞利浦半导体产品规格 256 x 8-位 cmos eeproms 和 i 2 c-总线接口 pcx8582x-2 家族写循环限制选择的这碎片地址是达到用连接这 a0, a1 和 a2 输入至也 v SS 或者 v DD . 标识参数情况最小值典型值最大值单位擦掉/写循环定时 t e/w 擦掉/写循环时间内部的振荡器 − 7 − ms 外部时钟 4 − 10 ms 忍耐力 N e/w 擦掉/写循环每字节 pcf8582c-2 T amb = 85 ° c; t e/w = 4 至 10 ms 100000 − − 循环 T amb = 22 ° c; t e/w = 5 ms 500000 − − 循环 pcd8582d-2 T amb = − 25 至 +70 ° c; t e/w = 4 至 10 ms 10000 − − 循环 T amb = − 25 至 +40 ° c; t e/w = 5 ms 100000 − − 循环 pcf8582e-2 T amb = − 40 至 +85 ° c; t e/w = 4 至 10 ms 10000 − − 循环 T amb = 22 ° c; t e/w = 5 ms 100000 − − 循环 pca8582f-2 T amb = 125 ° c; t e/w = 4 至 10 ms 50000 − − 循环 T amb = 85 ° c; t e/w = 4 至 10 ms 100000 − − 循环 T amb = 22 ° c; t e/w = 5 ms 500000 − − 循环

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