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资料编号:319039
 
资料名称:MRF899
 
文件大小: 204.87K
   
说明
 
介绍:
RF POWER TRANSISTOR NPN SILICON
 
 


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MRF899
2
motorola rf 设备 数据
电的 特性 — 持续
(t
C
= 25
°
c 除非 否则 指出.)
典型的 标识 最小值 Typ 最大值 单位
函数的 特性
common–emitter 放大器 电源 增益
V
CC
= 26 vdc, p
输出
= 150 watts (pep), i
cq
= 300 毫安, f
1
= 900 mhz,
f
2
= 900.1 mhz
G
pe
8.0 9.0 dB
集电级 效率
V
CC
= 26 vdc, p
输出
= 150 watts (pep), i
cq
= 300 毫安, f
1
= 900 mhz,
f
2
= 900.1 mhz
η
30 40 %
3rd 顺序 交调 扭曲量
V
CC
= 26 vdc, p
输出
= 150 watts (pep), i
cq
= 300 毫安, f
1
= 900 mhz,
f
2
= 900.1 mhz
IMD –32 –28 dBc
输出 mismatch 压力
V
CC
= 26 vdc, p
输出
= 150 watts (pep), i
cq
= 300 毫安, f
1
= 900 mhz,
f
2
= 900.1 mhz, vswr = 5:1 (所有 阶段 angles)
ψ
非 降级 在 输出 电源
在之前 和 之后 测试
图示 1. 900 mhz 电源 增益 测试 电路
b1, b2 — ferrite bead, ferroxcube #56–590–65–3b
c1, c2, c24, c25 — 43 pf, b case, atc 碎片 电容
c3, c4, c20, c21 — 100 pf, b case, atc 碎片 电容
c5, c6, c12, c13 — 1000 pf, b case, atc 碎片 电容
c7, c8, c14, c15 — 1800 pf, avx 碎片电容
c9 — 9.1 pf, 一个 情况, atc 碎片 电容
c10, c11, c17, c18, c22, c23 — 10
µ
f, electrolytic 电容
Panasonic
c16 — 3.9 pf, b 情况, atc 碎片 电容
c19 — 0.8 pf, b 情况, atc 碎片 电容
c26 — 200
µ
f, electrolytic 电容 mallory sprague
c27 — 500
µ
f electrolytic 电容
l1 — 5 转变 24 awg idia 0.059
choke, 19.8 nh
l2, l3, l7, l9 — 4 转变 20 awg idia 0.163
Choke
l4, l5, l6, l8 — 12 转变 22 awg idia 0.140
Choke
n1, n2 — 类型 n flange 挂载, omni spectra
q1 — 偏差 晶体管 bd136 pnp
r2, r3, r4, r5 — 4.0 x 39 ohm 1/8 w 碎片 在 并行的
r1a, r1b — 56 ohm 1.0 w
TL1 tl8 — 看 photomaster
balun1, balun2, coax 1, coax 2 — 2.20
50 ohm 0.088
o.d.
balun1, balun2, coax 1, coax 2 —semi–rigid coax, 微观的 coax
板 — 1/32
glass teflon,
ε
r
= 2.55
arlon (gx–0300–55–22)
coax 1
balun 1
输入
输出
TL1
C1
C2
L1
TL2
R1a
V
BB
V
BB
V
CC
V
B
R1b
L2
B1
L4
R2
C3
TL3
TL4
C9
d.u.t.
L5
R3
C4
+
C26
V
B
Q1
C6 C8 C11
+
++
C27
C15C13 C18
R4
L8 C21 C23
TL8
L9
L7
C25
C19C16
TL5
TL6
C24
TL7
balun 2
coax 2
C22
C20
L6R3
C17C14C12C10C7C5
L3
B2
V
CC
+
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