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mrf9100 mrf9100r3 mrf9100sr3
motorola rf 设备 数据
这 rf 场效应晶体管 线条
n–channel enhancement–mode lateral mosfets
设计 为 gsm 和 边缘 根基 station 产品 和 发生率
从 921 至 960 mhz, 这 高 ga在 和 broadband 效能 的 这些
设备 制造 它们 完美的 为 large–signal, 一般 源 放大器 applica-
tions 在 26 volt 根基 station 设备.
•
on–die 整体的 输入 相一致
•
典型 效能 @ 全部 gsm 带宽, 921 至 960 mhz, 26 伏特
输出 电源, p1db — 110 watts (典型值)
电源 增益 @ p1db — 16.5 db (典型值)
效率 @ p1db — 53% (典型值)
•
整体的 静电释放 保护
•
设计 为 最大 增益 和 嵌入 阶段 flatness
•
有能力 的 处理 5:1 vswr, @ 26 vdc, 921 mhz,
100 watts (cw) 输出 电源
•
极好的 热的 稳固
•
典型 和 序列 相等的 large–signal 阻抗 参数
•
有 在 录音带 和 卷轴. r3 后缀 = 250 单位 每 56 mm, 13 inch 卷轴.
最大 比率
比率 标识 值 单位
drain–source 电压 V
DSS
65 Vdc
gate–source 电压 V
GS
+15, –0.5 Vdc
总的 设备 消耗 @ t
C
= 25
°
C
减额 在之上 25
°
C
P
D
175
1.0
Watts
w/
°
C
存储 温度 范围 T
stg
–65 至 +200
°
C
运行 接合面 温度 T
J
200
°
C
静电释放 保护 特性
测试 情况 类
人 身体 模型 1 (最小)
机器 模型 m3 (最小)
承担 设备 模型 c7 (最小)
热的 特性
典型的 标识 最大值 单位
热的 阻抗, 接合面 至 情况 R
θ
JC
1.0
°
c/w
便条 –
提醒
– mos 设备 是 敏感 至 损坏 从 静电的 承担. 合理的 预防措施 在 处理 和
包装 mos 设备 应当 是 observed.
顺序 这个 文档
用 mrf9100/d
半导体 技术的 数据
gsm/边缘 900 mhz, 110 w, 26 v
lateral n–channel
rf 电源 mosfets
情况 465–06, 样式 1
(ni–780)
(mrf9100)
情况 465a–06, 样式 1
(ni–780s)
(mrf9100sr3)
motorola, 公司 2002
rev 1
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