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资料编号:319742
 
资料名称:MRF947BT1
 
文件大小: 309.76K
   
说明
 
介绍:
NPN Silicon Low Noise, High-Frequency Transistors
 
 


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mmbr941 mrf947 mrf9411 序列
2–2
motorola rf 设备 数据
最大 比率
比率 标识 mmbr941lt1, t3 MRF9411LT1 mrf947 序列 单位
collector–emitter 电压 V
CEO
10 10 10 Vdc
collector–base 电压 V
CBO
20 20 20 Vdc
emitter–base 电压 V
EBO
1.5 1.5 1.5 Vdc
电源 消耗 (1) t
C
= 75
°
C
减额 成直线地 在之上 t
情况
= 75
°
c @
P
Dmax
0.25
3.33
0.25
3.33
0.188
2.5
Watts
mw/
°
C
集电级 电流 — 持续的 (2) I
C
50 50 50 毫安
最大 接合面 温度 T
Jmax
150 150 150
°
C
存储 温度 T
stg
55 至 +150 55 至 +150 55 至 +150
°
C
热的 阻抗,
接合面 至 情况
R
θ
JC
300 300 400
°
c/w
设备 标记
mmbr941lt1 = 7y mmbr941blt1 = 7n mrf947t1, t3 = 一个 mrf947bt1 = h
mrf9411lt1 = 10 mrf947at1 = g
电的 特性
(t
一个
= 25
°
c 除非 否则 指出)
典型的 标识 最小值 Typ 最大值 单位
止 特性
(3)
collector–emitter 损坏 电压
(i
C
= 0.1 毫安, i
B
= 0) 所有
V
(br)ceo
10 12 Vdc
collector–base 损坏 电压
(i
C
= 0.1 毫安, i
E
= 0) 所有
V
(br)cbo
20 23 Vdc
= 1.0 v, i
C
= 0) 所有
I
EBO
0.1
µ
模数转换器
集电级 截止 电流
(v
CB
= 10 v, i
E
= 0) 所有
I
CBO
0.1
µ
模数转换器
在 特性
(3)
直流 电流 增益
(v
CE
= 6.0 v, i
C
= 5.0 毫安) (mmbr941lt1, mrf9411lt1)
(mmbr941blt1)
h
FE
50
100
200
200
直流 电流 增益 (v
CE
= 1.0 v, i
C
= 500
µ
一个) mrf947t1, mrf947bt1
h
FE
1
50
直流 电流 增益
(v
CE
= 6.0 v, i
C
= 5.0 毫安) mrf947t1, t3
MRF947AT1
MRF947BT1
h
FE
2
h
FE
3
h
FE
4
50
75
100
150
200
动态 特性
collector–base 电容
(v
CB
= 10 v, i
E
= 0, f = 1.0 mhz) 所有
C
cb
0.35 pF
电流 增益 — 带宽 产品
(v
CE
= 6.0 v, i
C
= 15 毫安, f = 1.0 ghz) 所有
f
T
8.0 GHz
便条:
1. 至 计算 这 接合面 温度 使用 t
J
= p
D
x r
θ
JC
+ t
情况
. 情况 温度 量过的 在 集电级 含铅的 立即 调整 至
身体 的 包装.
2. I
C
— 持续的 (mtbf
10 年).
3. 脉冲波 宽度
300
µ
s, 职责 循环
2% 搏动.
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