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资料编号:319747
 
资料名称:IRF9410
 
文件大小: 114.86K
   
说明
 
介绍:
Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)=0.030ohm)
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
IRF9410
图 5.
normalized 在-阻抗
vs. 温度
图 8.
最大 avalanche 活力
vs. 流 电流
0
40
80
120
160
200
25 50 75 100 125 150
J
e , 单独的 脉冲波 avalanche 活力 (mj)
一个
开始 t , 接合面 温度 (°c)
I
顶 2.1a
3.7a
bottom 4.6a
D
图 6.
典型 在-阻抗 vs. 流
电流
图 7.
典型 在-阻抗 vs. 门
电压
-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100 120 140 160
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
t , 接合面 温度 ( c)
r , 流-至-源 在 阻抗
(normalized)
J
ds(在)
°
V =
I =
GS
D
10V
7.0a
0.02
0.03
0.04
0.05
0 5 10 15 20 25
r , 流-至-源 在 阻抗
一个
i , 流 电流 (一个)
v = 10v
v = 4.5v
(
)
ds(在)
D
GS
GS
0.00
0.02
0.04
0.06
0.08
0.10
0.12
0.14
36 91215
一个
I= 7.0A
D
GS
v -门-至-源 voltage (v)
R
DS
(在) , 流-至-源 在 阻抗 (
)
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