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资料编号:319823
 
资料名称:IRF9530NSTRR
 
文件大小: 173.15K
   
说明
 
介绍:
Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=0.20ohm, Id=-14A)
 
 


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irf9530ns/l
图 8.
最大 safe 运行 范围
图 6.
典型 门 承担 vs.
门-至-源 电压
图 5.
典型 电容 vs.
流-至-源 电压
图 7.
典型 源-流 二极管
向前 电压
0
400
800
1200
1600
2000
1 10 100
c, 电容 (pf)
一个
DS
-v, drain-至-source voltage (v)
V=0V, f =1MHz
C=C+c , cSHORTE D
C=C
C=C+C
GS
issgsgdds
rssgd
oss ds gd
C
s
C
oss
C
rss
0.1
1
10
100
0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6
t = 25°c
t = 150°c
J
J
V= 0V
GS
SD
SD
一个
-i , 反转 流 电流 (一个)
-v, source-至-drain voltage (v)
0 10 20 30 40 50 60
0
5
10
15
20
q , 总的 门 承担 (nc)
-v , 门-至-源 电压 (v)
G
GS
为 测试 电路
看 图示
I =
D
13
-8.4a
V =-20v
DS
V =-50v
DS
V =-80v
DS
1
10
100
1000
1 10 100 1000
运作 在 这个 范围 限制
用 r
ds(在)
单独的 脉冲波
T
T
= 175 c
= 25 c
°
°
J
C
-v , 流-至-源 电压 (v)
-i , 流 电流 (一个)i , 流 电流 (一个)
DS
D
10us
100us
1ms
10ms
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