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资料编号:319827
 
资料名称:IRF9510
 
文件大小: 171.75K
   
说明
 
介绍:
Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=1.2ohm, Id=-4.0A)
 
 


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5-6
图示 4. 向前 偏差 safe 运行 范围 图示 5. 输出 特性
图示 6. 饱和 特性 图示 7. 转移 特性
图示 8. 阻抗 vs
电压 和 流 电流
图示 9. NORMALIZED
阻抗 vs 接合面 温度
典型 效能 曲线
除非 否则 specified
(持续)
10
1
11010
2
0.1
I
D
, 流 电流 (一个)
V
DS
, 流 至 源 电压 (v)
10
µ
s
100
µ
s
1ms
10ms
100ms
T
J
= 最大值 评估
T
C
= 25
o
C
运作 在 这个
区域 是 限制
用 r
ds(在)
直流
I
D
, 流 电流 (一个)
0 -10 -20 -30 -40
-1
-2
-3
-4
-5
-50
V
DS
, 流 至 源 电压 (v)
0
V
GS
= -5v
V
GS
= -7v
V
GS
= -8v
V
GS
= -10v
V
GS
= -9v
V
GS
= -6v
脉冲波 持续时间 = 80
µ
s
职责 循环 = 0.5% 最大值
0
-1
0
-2
-4 -6 -10
-2
-3
I
D
, 流 电流 (一个)
V
DS
, 流 至 源 电压 (v)
-4
-8
-5
脉冲波 持续时间 = 80
µ
s
V
GS
= -5v
V
GS
= -7v
V
GS
= -8v
V
GS
= -9v
V
GS
= -10v
V
GS
= -6v
职责 循环 = 0.5% 最大值
-12.0
I
d(在)
, 在-状态 流 电流 (一个)
V
GS
, 门 至 源 电压 (v)
-9.6
-7.2
-4.8
0
-8-6-4-20 -10
T
J
= 25
o
C
T
J
= -55
o
C
-2.4
脉冲波 持续时间 = 80
µ
s
V
DS
>i
d(在)
x r
ds(在)最大值.
T
J
= 125
o
C
职责 循环 = 0.5% 最大值
-16
I
d,
流 电流 (一个)
-4 -8
-12
0 -20
5
4
3
0
2
r
ds(在)
, 流 至 源 在 阻抗
V
GS
= -20v
1
V
GS
= -10v
脉冲波 持续时间 = 80
µ
s
职责 循环 = 0.5% 最大值
2.5
1.5
0.5
80-40
T
J
, 接合面 温度 (
o
c)
normalized 流 至 源
2.0
1.0
0
0 40 120 160
在 阻抗 电压
脉冲波 持续时间 = 80
µ
s
职责 循环 = 0.5% 最大值
V
GS
= -10v, i
D
= -1.5a
IRF9510
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