IRF9530SMD
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prelim. 07/00
参数 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
V
GS
= 0 I
D
= 1ma
涉及 至 25°c
I
D
= 1ma
V
GS
= 10v I
D
= 5a
V
GS
= 10v I
D
= 8a
V
DS
= v
GS
I
D
= 250
m
一个
V
DS
³
15V I
DS
= 5a
V
GS
= 0 V
DS
= 0.8bv
DSS
T
J
= 125°c
V
GS
= 20v
V
GS
= –20v
V
GS
= 0
V
DS
= 25v
f = 1mhz
V
GS
= 10v I
D
= 8a
V
DS
= 0.5bv
DSS
I
D
= 8a
V
DS
= 0.5bv
DSS
V
DD
= 50v
I
D
= 8a
R
G
= 7.5
W
I
S
= 8a T
J
= 25°c
V
GS
= 0
I
S
= 8a T
J
= 25°c
d
i
/ d
t
£
100a/
m
sV
DD
£
50V
电的 特性
(t
C
= 25°c 除非 否则 陈述)
流 – 源 损坏 电压
温度 系数 的
损坏 电压
静态的 流 – 源 on–state
阻抗
门 门槛 电压
向前 跨导
零 门 电压 流 电流
向前 门
– 源 泄漏
反转 门
– 源 泄漏
输入 电容
输出 电容
反转 转移 电容
总的 门 承担
门 – 源 承担
门 – 流 (“miller”) 承担
turn–on 延迟 时间
上升 时间
turn–off 延迟 时间
下降 时间
持续的 源 电流
脉冲波 源 电流
二极管 向前 电压
反转 恢复 时间
反转 恢复 承担
100
0.1
0.35
0.4
24
3
25
250
100
-100
860
350
125
12.5 29
1.0 6.3
227
60
140
140
140
8
32
4.7
300
3
8.7
8.7
V
v/°c
W
V
S(
W
m
一个
nA
pF
nC
nC
ns
一个
V
ns
m
C
nH
BV
DSS
D
BV
DSS
D
T
J
R
ds(在)
V
gs(th)
g
fs
I
DSS
I
GSS
I
GSS
C
iss
C
oss
C
rss
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
d(在)
t
r
t
d(止)
t
f
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
L
D
L
S
静态的 电的 比率
动态 特性
源 – 流 二极管 特性
内部的 流 电感
(从 6mm 向下 流 含铅的 垫子 至 centre 的 消逝)
内部的 源 电感
(从 6mm 向下 源 含铅的 至 centre 的 源 bond 垫子)
包装 特性
(
W
)
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