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图 19.
最大 流 电流 vs.
包围的 温度
图 21.
门槛 电压 vs. 温度
q1 - 控制 场效应晶体管 q2 - 同步的 场效应晶体管
典型 特性
图 20.
最大 流 电流 vs.
包围的 温度
图 22.
门槛 电压 vs. 温度
图 23.
最大 avalanche 活力
vs. 流 电流
图 24.
最大 avalanche 活力
vs. 流 电流
25 50 75 100 125 150
T
一个
, 包围的 温度 (°c)
0
2
4
6
8
10
12
14
I
D
,
流 电流 (一个)
-75 -50 -25 0 25 50 75 100 125 150
T
J
, 温度 ( °c )
1.0
1.5
2.0
2.5
V
gs(th)
门 门槛 电压 (v)
I
D
= 250µa
25 50 75 100 125 150
开始 t
J
, 接合面 温度 (°c)
0
20
40
60
80
100
120
E
作
, 单独的 脉冲波 avalanche 活力 (mj)
I
D
顶 5.5a
6.2a
BOTTOM 9.8a
25 50 75 100 125 150
T
一个
, 包围的 温度 (°c)
0
2
4
6
8
10
12
I
D
,
流 电流 (一个)
-75 -50 -25 0 25 50 75 100 125 150
T
J
, 温度 ( °c )
1.0
1.5
2.0
2.5
V
gs(th)
门 门槛 电压 (v)
I
D
= 250µa
25 50 75 100 125 150
开始 t
J
, 接合面 温度 (°c)
0
20
40
60
80
100
120
140
E
作
, 单独的 脉冲波 avalanche 活力 (mj)
I
D
顶 2.2a
2.6a
BOTTOM 8.3a
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