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资料编号:320055
 
资料名称:IRF9952
 
文件大小: 134.65K
   
说明
 
介绍:
Power MOSFET(Vdss=+-30V)
 
 


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IRF9952
图 14.
典型 转移 特性
图 13.
典型 输出 特性
图 12.
典型 输出 特性
图 15.
典型 源-流 二极管
向前 电压
p-频道
0.1
1
10
100
0.1 1 10
D
DS
20µs p ULSE宽度
T= 25°c
一个
-i , d r一个 - -s ourc eC u rren t (一个 )
-v , 流-至-源 电压 (v)
J
-3.0V
VGS
顶 - 15v
- 10v
- 7.0v
- 5.5v
- 4.5v
- 4.0v
- 3.5v
BOTTOM- 3.0v
0.1
1
10
100
0.1 1 10
D
DS
一个
-i , d r一个 - -s ourc eC u rren t (一个 )
-v , 流-至-源 电压 (v)
-3.0v
VGS
顶 - 15v
- 10v
- 7.0v
- 5.5v
- 4.5v
- 4.0v
- 3.5v
BOTTOM- 3.0v
20µs p ULSE宽度
T= 150°C
J
0.1
1
10
100
3.0 4.0 5.0 6.0 7.0 8.0
t = 25°c
t = 150°c
J
J
GS
D
一个
-i ,Dra在-至-source c urrent (一个 )
-v,Gate-至-sourceVoltage (v)
V =-1 0V
20µs 脉冲波 w IDTH
DS
0.1
1
10
100
0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4
T=2 5°C
t = 150°C
J
J
V=0V
GS
SD
SD
一个
-i , reverse drainC urrent (一个)
-v , 源-至-流 电压 (v)
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