IRF9Z34N
HEXFET
®
电源 场效应晶体管
pd - 9.1485b
fifth 一代 hexfets 从 国际的 整流器
utilize 先进的 处理 技巧 至 达到
极其 低 在-阻抗 每 硅 范围. 这个
益处, 联合的 和 这 快 切换 速 和
加固 设备 设计 那 hexfet 电源
mosfets 是 好 知道 为, 提供 这 设计者
和 一个 极其 效率高的 和 可依靠的 设备 为 使用
在 一个 宽 多样性 的 产品.
这 至-220 包装 是 universally preferred 为 所有
商业的-工业的 产品 在 电源 消耗
水平 至 大概 50 watts. 这 低 热的
阻抗 和 低 包装 费用 的 这 至-220
contribute 至 它的 宽 acceptance 全部地 这
工业.
参数 最大值 单位
I
D
@ t
C
= 25°c 持续的 流 电流, v
GS
@ -10v -19
I
D
@ t
C
= 100°c 持续的 流 电流, v
GS
@ -10v -14 一个
I
DM
搏动 流 电流
-68
P
D
@T
C
= 25°c 电源 消耗 68 W
直线的 减额 因素 0.45 w/°c
V
GS
门-至-源 电压 ± 20 V
E
作
单独的 脉冲波 avalanche 活力
180 mJ
I
AR
avalanche 电流
-10 一个
E
AR
repetitive avalanche 活力
6.8 mJ
dv/dt 顶峰 二极管 恢复 dv/dt
-5.0 v/ns
T
J
运行 接合面 和 -55 至 + 175
T
STG
存储 温度 范围
焊接 温度, 为 10 秒 300 (1.6mm 从 情况 )
°C
挂载 torque, 6-32 或者 m3 screw 10lbf•in (1.1n•m)
绝对 最大 比率
参数 典型值 最大值 单位
R
θ
JC
接合面-至-情况 ––– 2.2
R
θ
CS
情况-至-下沉, flat, greased 表面 0.50 ––– °c/w
R
θ
JA
接合面-至-包围的 ––– 62
热的 阻抗
V
DSS
= -55v
R
ds(在)
= 0.10
Ω
I
D
= -19a
至-220ab
先进的 处理 技术
动态 dv/dt 比率
175°c 运行 温度
快 切换
p-频道
全部地 avalanche 评估
描述
8/25/97
S
D
G