fa13842, 13843, 13844, 13845
11
图. 12
图. 13
图. 14
图. 11
~+
~
DB
R1
D1
C2
+
场效应晶体管
Rs
6
1
7
FA13842
R4
R6
D5
R7
R8
PC1
Tr1
Tr2
R15
Tr5
R16
PC1
C6
R3
C1
T1
D6
R13
Tr4
+
C7
R14
交流 输入
+
~+
~
R1
D1
C2
+
场效应晶体管
Rs
6
1
7
FA13842
R4
R6
D5
R7
R8
PC1
Tr1
Tr2
C6
R3
DB
ZD2
PC1
C1
T1
D6
+
C7
R9
交流 输入
+
~+
~
6
1
7
FA13842
R4
R6
D5
Tr1
Tr2
ZD1
C6
R3
DB
R1
D1
C2
场效应晶体管
Rs
C1
T1
交流 输入
+
+
~+
~
6
13
7
FA13842
R4
R6
D5
Tr1
Tr2
C6
R3
DB
R1
D1
C2
+
场效应晶体管
R12
Tr3
C8
R10
R11
Rs
C1
T1
交流 输入
+
3-1 这 方法 的 detecting 一个 超（电）压 (发现
在 primary 一侧)
一个 典型 latched 关闭 电路 至 保护 相反
overvoltages 发现 在 这 primary 一侧 是 显示 在 图. 11.
当 这 secondary 电压 增加 在 这 flyback 电路,
这 电压 的 这 偏差 winding 也 增加 在 份额.
当 这个 电压 增加 是 发现 用 齐纳 二极管 zd1, 一个
latched 关闭 是 accomplished. 作 这 secondary 电压
是 发现 通过 一个 变压器, 发现 精度 是 低.
3-2 这 方法 的 detecting 一个 超（电）压 (发现
在 secondary 一侧)
一个 典型 latched 关闭 电路 至 保护 相反
overvoltages 发现 在 这 secondary 一侧 是 显示 在
图. 12.
这 发现 电压 精度 是 高 对照的 至
超（电）压 发现 在 这 primary 一侧.
3-3 这 方法 的 detecting 一个 overcurrent (发现
的 primary 电流)
一个 典型 primary overcurrent 发现 电路 是 显示 在
图. 13.
3-4 这 方法 的 detecting 一个 overcurrent (发现
的 secondary 电流)
一个 典型 secondary overcurrent 发现 电路 是 显示 在
图. 14.
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