fa13842, 13843, 13844, 13845
9
5. 输出 平台
一个 输出 平台 的 cmos 反相器 composition 是 组成公司的,
因此 制造 它 可能 至 全部地 摆动 这 门 电压 的 一个
电源 场效应晶体管 至 这 v
CC
.
这 输出 平台 提供 一个 源 电流 的 400ma 和 一个
下沉 电流 的 1a 作 这 顶峰 电流 capacity. (当 v
CC
是
15v)
这 输出 平台 是 使保持 在 这 “low” 状态 在 备用物品 模式.
6. 涉及 电压
这 5.0v(
±
5%) bandgap 涉及(tj=25˚c) 是 建造-在.
它 是 可能 至 供应 一个 电流 的 关于 10ma 至 一个 外部
电路 在 增加 至 供应 一个 承担 电流 至 这 定时
电容 的 这 振荡器. (看 典型的 曲线 在 页
46.)
连接 一个 陶瓷的 绕过 电容 的 0.1
µ
f 或者 高等级的 至 这
vref 终端 至 stabilize 这个 电压.
■
设计 advice
1. 开始-向上 电路
一个 典型 开始-向上 电路 是 显示 在 图. 4.
这 交流 输入 电压 charges 电容 c2 和 供应
开始-向上 电流 至 这 ic 通过 开始-向上 阻抗 r1. 当
这个 电压 reaches 这 在 门槛 电压, 这 ic reverts 至
这 运作 模式 和 electric 电源 是 有提供的 从 这
偏差 winding 的 这 变压器 thereafter.
使用 cmos 处理, 这 开始-向上 电流 是 较少 比 30
µ
一个.
当 这 开始-向上 阻抗 是 增加, 这 charging 比率 的
电容 c2 减少 和 开始-向上 时间 增加. 选择
这 最佳的 值 为 r1 和 c2.
这 relation 在 这 开始-向上 阻抗 和 开始-向上 时间
为 这 电路 表明 在 图. 4 是 显示 在 图. 5.
图. 6 indicates 一个 方法 至 增加 这 开始-向上 阻抗 至
减少 丧失 和 shorten 开始-向上 时间. 这 开始-向上 时间 是
shortened 用 减少 这 电容 的 c2. 这 偏差 电流
是 有提供的 从 c3 之后 开始-向上.
2. 同步 运作 和 外部 信号
这 电路 显示 在 图. 7 准许 同步 运作 和
外部 信号.
同步 运作 是 started 当 这 rt/ct 终端
电压 是 raised 至 关于 3v 或者 高等级的. (同步 在
leading 边缘.)
这 外部 同步 信号 应当 是 高等级的 比 这
自由-run 频率.
在 这 情况 的 fa13844/45, 这 输出 频率 的 这 输出
终端 是 1/2 那 的 这 同步 信号 频率.
图. 5 开始-向上 时间
4
3
2
开始-向上 time[sec]
1
0
0 200 400 600
开始-向上 阻抗 r1 (k
Ω
)
C2=47
µ
F
C2=10
µ
F
800 1000 1200
C2=22
µ
F
输入:100v 交流
图. 7
+
D3
R2
er 放大
2R
1R
同步
C4
OSC
REF
5
1
2
4
R
T
C
T
8
~+
~
DB
R1
D1
C2
场效应晶体管
Rs
6
7
FA13842
+
C1
T1
交流 输入
+
图. 4
图. 6
D2
R1
D1
C2
FA13842
+
C3
+
6
7
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