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资料编号:321189
 
资料名称:FAN5236MTCX
 
文件大小: 199.13K
   
说明
 
介绍:
Dual Mobile-Friendly DDR / Dual-output PWM Controller
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
FAN5236 产品 规格
rev. 1.1.7 4/4/03
9
电路 描述
Overview
这 fan5236 是 一个 multi-模式, 双 频道 pwm 控制-
ler 将 为 graphic chipset, sdram, ddr dram 或者
其它 低 电压 电源 产品 在 modern notebook,
desktop, 和 sub-notebook pcs. 这 ic integrates 一个 控制
电路系统 为 二 同步的 buck 转换器. 这 输出
电压 的 各自 控制 能 是 设置 在 这 范围 的 0.9v 至
5.5v 用 一个 外部 电阻 分隔物.
这 二 同步的 buck 转换器 能 运作 从
也 一个 无秩序的 直流 源 (此类 作 一个 notebook 电池)
和 电压 ranging 从 5.0v 至 24v, 或者 从 一个 管制
系统 栏杆 的 3.3v 至 5v. 在 也 模式 的 运作 这 ic
是 片面的 从 一个 +5v 源. 这 pwm modulators 使用 一个
average 电流 模式 控制 和 输入 电压 喂养-为-
ward 为 simplified 反馈 循环 补偿 和
改进 线条 规章制度. 两个都 pwm 控制者 有 inte-
grated 反馈 循环 补偿 那 dramatically
减少 这 号码 的 外部 组件.
取决于 在 这 加载 水平的, 这 转换器 能 运作
也 在 fixed 频率 pwm 模式 或者 在 一个 hysteretic 模式.
转变-在 从 pwm 至 hysteretic 模式 改进 这
转换器’ efficiency 在 明亮的 负载 和 prolongs 电池 run
时间. 在 hysteretic 模式, comparators 是 同步 至
这 主要的 时钟 那 准许 seamless 转变 在 这
运算的 模式 和 减少 频道-至-频道 interac-
tion. 这 hysteretic 模式 的 运作 能 是 inhibited inde-
pendently 为 各自 频道 如果 能变的 频率 运作 是
不 desired.
这 fan5236 能 是 configured 至 运作 作 一个 完全
ddr 解决方案. 当 这 ddr 管脚 是 设置 高, 这 第二
频道 能 提供 这 能力 至 追踪 这 输出 电压
的 这 first 频道. 这 pwm2 转换器 是 阻止 从
going 在 hysteretic 模式 如果 这 ddr 管脚 是 设置 高. 在
ddr 模式, 一个 缓冲 涉及 电压 (缓冲 电压 的
这 ref2 管脚), 必需的 用 ddr 记忆 碎片, 是 提供
用 这 pg2 管脚.
转换器 模式 和 同步
Table 3. 转换器 模式 和 同步
当 使用 作 一个 双 转换器 (作 在 图示 5), 输出-的-阶段
运作 和 180 程度 阶段 变换 减少 输入 电流
波纹.
为 这 “2-step” 转换 (在哪里 这 vtt 是 转变
从 vddq 作 在 图示 4) 使用 在 ddr 模式, 这 职责
循环 的 这 第二 转换器 是 nominally 50% 和 这 opti-
mal phasing 取决于 在 vin. 这 目标 是 至 保持 噪音
发生 从 这 切换 转变 在 一个 转换器
从 influencing 这 "decision" 至 转变 在 这 其它 con-
verter.
当 vin 是 从 这 电池, 它’s 典型地 高等级的 比 7.5v.
作 显示 在 图示 6, 180° 运作 是 不想要的 自从
这 转变-在 的 这 vddq 转换器 occurs 非常 near 这
decision 要点 的 这 vtt 转换器.
图示 6. 噪音-敏感 180° phasing 为 ddr1
在-阶段 运作 是 最优的 至 减少 inter-转换器 inter-
ference 当 vin 是 高等级的 比 5v, (当 vin 是 从 一个
电池), 作 能 是 seen 在 图示 7. 自从 这 职责 循环
的 pwm1 (generating vddq) 是 短的, 它’s 切换 要点
occurs far away 从 这 decision 要点 为 这 vtt
调整器, 谁的 职责 循环 是 nominally 50%.
图示 7. 最优的 在-阶段 运作 为 ddr1
当 vin
5v, 180° 阶段 shifted 运作 能 是
rejected 为 这 一样 reasons demonstrated 图示 6.
在-阶段 运作 和 vin
5v 是 甚至 worse, 自从 这
转变 要点 的 也 转换器 occurs near 这 转变 要点
的 这 其它 转换器 作 seen 在 图示 8. 在 这个 情况, 作
vin 是 一个 little 高等级的 比 5v 它 将 tend 至 导致 early
末端 的 这 vtt 脉冲波 宽度. 相反地, vtt’s
转变 要点 能 导致 early 末端 的 这 vddq 脉冲波
宽度 当 vin 是 slightly 更小的 比 5v.
模式 VIN vin 管脚
DDR
管脚
pwm 2 w.r.t.
PWM1
DDR1 电池 VIN 在 阶段
DDR2 +5V r 至 地 + 90°
任何 VIN + 180°
VDDQ
VTT
CL
K
VDDQ
VTT
CL
K
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