产品 规格 FAN5236
12
rev. 1.1.7 4/4/03
电流 处理 部分
这 下列的 discussion 谈及 至 图示 11.
这 电流 通过 r
SENSE
电阻 (isns) 是 抽样
shortly 之后 q2 是 转变 在. 那 电流 是 使保持, 和
summed 和 这 输出 的 这 错误 amplifier. 这个 effec-
tively creates 一个 电流 模式 控制 循环. 这 电阻 con-
nected 至 isnsx 管脚 (r
SENSE
) sets 这 增益 在 这 电流
反馈 循环. 为 稳固的 运作, 这 电压 induced 用
这 电流 反馈 在 这 pwm 比较器 输入 应当 是
设置 至 30% 的 这 ramp 振幅 在 最大 加载 currrent
和 线条 电压. 这 下列的 expression 估计 这
推荐 值 的 r
SENSE
作 一个 函数 的 这 maxi-
mum 加载 电流 (i
加载(最大值)
) 和 这 值 的 这
场效应晶体管’s r
ds(在)
:
R
SENSE
必须, 不管怎样, 是 保持 高等级的 比:
设置 这 电流 限制
一个 比率 的 isns 是 也 对照的 至 这 电流 established
当 一个 0.9 v 内部的 涉及 驱动 这 ilim 管脚. 这
门槛 是 决定 在 这 要点
当 这 . 自从
因此
,
自从 这 容忍 在 这 电流 限制 是 largely 依赖
在 这 比率 的 这 外部 电阻器 它 是 fairly 精确 如果 这
电压 漏出 在 这 切换 node 一侧 的 r
SENSE
是 一个
精确 描述 的 这 加载 电流. 当 使用 这
场效应晶体管 作 这 感觉到 元素, 这 变化 的 r
ds(在)
导致 均衡的 变化 在 这 isns. 这个 值 不
仅有的 varies 从 设备 至 设备, 但是 也 有 一个 典型 junc-
tion 温度 coefficient 的 关于 0.4% / °c (咨询 这
场效应晶体管 数据手册 为 真实的 值), 所以 这 真实的 电流
限制 设置 要点 将 decrease propotional 至 增加
场效应晶体管 消逝 温度. 一个 因素 的 1.6 在 这 电流
限制 选点 应当 compensate 为 所有 场效应晶体管 r
ds(在)
变化, 假设 这 场效应晶体管’s 热温 sinking 将 保持
它的 运行 消逝 温度 在下 125°c.
图示 12. improving 电流 感觉到 精度
更多 精确 感觉到 能 是 达到 用 使用 一个 电阻
(r1) instead 的 这 r
ds(在)
的 这 场效应晶体管 作 显示 在 图示
12. 这个 approach 导致 高等级的 losses, 但是 产量 更好
精度 在 两个都 v
DROOP
和 i
限制
. r1 是 一个 低 值
(e.g. 10m
Ω
) 电阻.
电流 限制 (i
限制
) 应当 是 设置 sufficiently 高 作 至
准许 inductor 电流 至 上升 在 回馈 至 一个 输出 加载
瞬时. 典型地, 一个 因素 的 1.3 是 sufficient. 在 addition,
自从 i
限制
是 一个 顶峰 电流 截-止 值, 我们 将 需要 至
乘以 i
加载(最大值)
用 这 inductor 波纹 电流 (我们’ll
使用 25%). 为 例子, 在 图示 5 这 目标 为 i
限制
将 是:
I
限制
> 1.2
×
1.25
×
1.6
×
6A
≈
14A (6)
职责 循环 clamp
在 severe 加载 增加, 这 错误 amplifier 输出 能
go 至 它的 upper 限制 pushing 一个 职责 循环 至 almost 100% 为
significant 数量 的 时间. 这个 可以 导致 一个 大 增加
的 这 inductor 电流 和 含铅的 至 一个 长 恢复 从 一个
瞬时, 在-电流 情况, 或者 甚至 至 一个 失败 espe-
cially 在 高 输入 电压. 至 阻止 这个, 这 输出 的
这 错误 amplifier 是 clamped 至 一个 fixed 值 之后 二 时钟
cycles 如果 severe 输出 电压 excursion 是 发现, 限制的
这 最大 职责 循环 至
这个 电路 是 设计 至 不 干涉 和 正常的 pwm
运作. 当 fpwm 是 grounded, 这 职责 循环 clamp
是 无能 和 这 最大 职责 循环 是 87%.
门 驱动器 部分
这 adaptive 门 控制 逻辑 translates 这 内部的 pwm
控制 信号 在 这 场效应晶体管 门 驱动 信号 供应
需要 amplification, 水平的 shifting 和 shoot-通过
保护. 也, 它 有 功能 那 帮助 优化 这 ic
效能 在 一个 宽 范围 的 运行 情况.
自从 场效应晶体管 切换 时间 能 相异 dramatically 从
类型 至 类型 和 和 这 输入 电压, 这 门 控制 逻辑
提供 adaptive dead 时间 用 monitoring 这 门-至-
源 电压 的 两个都 upper 和 更小的 mosfets.
R
SENSE
I
加载 最大值
()
R
DS 在
()
4.1K
••
0.30 0.125 V
在 最大值
()
••
----------------------------------------------------------------------------- 1 0 0–=
(4a)
R
SENSE 最小值
()
I
加载 最大值
()
R
DS 在
()
•
150
µ
一个
----------------------------------------------------------- 1 0 0–=
(4b)
ISNS
9
--------------
ILIM 4
×
3
-----------------------
>
ISNS
I
加载
R
DS 在
()
×
100 R+
SENSE
--------------------------------------------=
I
限制
0.9V
R
ILIM
---------------
4
3
---
×
9 100 R
SENSE
+
()×
R
DS 在
()
-------------------------------------------------
×
=
(5a)
或者
R
ILIM
11.2
I
限制
----------------
100 R
SENSE
+
()
R
DS 在
()
----------------------------------------
×
=
(5b)
LDRV
PGND
ISNS
R
敏感性E
R1
Q2
直流
最大值
V
输出
V
在
--------------
2.4
V
在
---------+=
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