FAN5236 产品 规格
rev. 1.1.7 4/4/03
3
管脚 configurations
管脚 definitions
管脚
号码
管脚 名字 管脚 函数 描述
1
AGND
相似物 地面.
这个 是 这 信号 地面 涉及 为 这 ic. 所有 电压 水平 是
量过的 和 遵守 至 这个 管脚.
2
27
LDRV1
LDRV2
低-一侧 驱动.
这 低-一侧 (更小的) 场效应晶体管 驱动器 输出. 连接 至 门 的 低-一侧
场效应晶体管.
3
26
PGND1
PGND2
电源 地面.
这 返回 为 这 低-一侧 场效应晶体管 驱动器. 连接 至 源 的 低-
一侧 场效应晶体管.
4
25
SW1
SW2
切换 node.
返回 为 这 高-一侧 场效应晶体管 驱动器 和 一个 电流 sense 输入.
连接 至 源 的 高-一侧 场效应晶体管 和 低-一侧 场效应晶体管 流.
5
24
HDRV1
高-一侧 驱动.
高-一侧 (upper) 场效应晶体管 驱动器 输出. 连接 至 门 的 高-一侧
场效应晶体管.
6
23
BOOT1
BOOT2
激励.
积极的 供应 为 这 upper 场效应晶体管 驱动器. 连接 作 显示 在 图示 3.
7
22
ISNS1
ISNS2
电流 sense 输入.
monitors 这 电压 漏出 横过 这 更小的 场效应晶体管 或者 外部
sense 电阻 为 电流 反馈.
8
21
EN1
EN2
使能
. 使能 运作 当 牵引的 至 逻辑 高. toggling en 将 也 重置 这
调整器 之后 一个 latched 故障 情况. 这些 是 cmos 输入 谁的 状态 是
indeterminate 如果 left 打开.
9
20
FPWM1
FPWM2
强迫 pwm 模式.
当 逻辑 低, inhibits 这 调整器 从 进去 hysteretic 模式.
否则 系 至 vout. 这 调整器 使用 vout 在 这个 管脚 至 确保 一个 平整的
转变 从 hysteretic 模式 至 pwm 模式. 当 vout 是 预期的 至 超过 vcc,
系 至 vcc.
10
19
VSEN1
VSEN2
输出 电压 sense.
这 反馈 从 这 输出. 使用 为 规章制度 作 好 作
pg, 下面-电压 和 在-电压 保护 和 monitoring.
11 ILIM1
电流 限制 1.
一个 电阻 从 这个 管脚 至 地 sets 这 电流 限制.
12
17
SS1
SS2
软 开始.
一个 电容 从 这个 管脚 至 地 programs 这 回转 比率 的 这 转换器
在 initialization. 在 initialization, 这个 管脚 是 charged 和 一个 5
µ
一个 电流 源.
13 DDR
ddr 模式 控制.
高 = ddr 模式. 低 = 2 独立的 regulators 运行 180° 输出
的 阶段.
AGND
LDRV1
PGND1
SW1
HDRV1
BOOT1
是NS1
EN1
FPWM1
VSEN1
ILIM1
SS1
DDR
VIN
FAN5236
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
VCC
LDRV2
PGND2
SW2
HDRV2
BOOT2
ISNS2
EN2
FPWM2
VSEN2
ilim2/ref2
SS2
pg2/ref2out
PG
1
qsop-28 或者 tssop-28
θ
JA
= 90
°
c/w
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