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资料编号:321713
 
资料名称:FB180SA10
 
文件大小: 137.03K
   
说明
 
介绍:
Power MOSFET
 
 


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FB180SA10
2 www.irf.com
repetitive 比率; 脉冲波 宽度 限制 用
最大值 接合面 温度. ( 看 图. 11 )
I
SD
£
180a, di/dt
£
83a/µs, v
DD
£
V
(br)dss
,
T
J
£
150°C
注释:
开始 t
J
= 25°c, l =43µh
R
G
= 25
W
, i
= 180a. (看 图示 12)
脉冲波 宽度
£
300µs; 职责 循环
£
2%.
参数 最小值 典型值 最大值 单位
情况
I
S
持续的 源 电流 场效应晶体管 标识
(身体 二极管)
––– –––
表明 这
I
SM
搏动 源 电流 integral 反转
(身体 二极管)
––– –––
p-n 接合面 二极管.
V
SD
二极管 向前 电压 ––– ––– 1.3 V T
J
= 25°c, i
S
= 180a, v
GS
= 0v
t
rr
反转 恢复 时间 ––– 300 450 ns T
J
= 25°c, i
F
= 180a
Q
rr
反转 恢复 承担 ––– 2.6 3.9 µC di/dt = 100a/µs
t
向前 转变-在 时间 intrinsic 转变-在 时间 是 negligible (转变-在 是 dominated 用 l
S
+L
D
)
源-流 比率 和 特性
一个
180
720
参数 最小值 典型值 最大值 单位
情况
V
(br)dss
流-至-源 损坏 电压 100 ––– ––– V V
GS
= 0v, i
D
= 250µa
D
V
(br)dss
/
D
T
J
损坏 电压 温度 系数 ––– 0.093 ––– v/°c 涉及 至 25°c, i
D
= 1ma
R
ds(在)
静态的 流-至-源 在-阻抗 ––– ––– 0.0065
W
V
GS
= 10v, i
D
= 108a
V
gs(th)
门 门槛 电压 2.0 ––– 4.0 V V
DS
= v
GS
, i
D
= 250µa
g
fs
向前 跨导 93 ––– ––– S V
DS
= 25v, i
D
= 108a
––– ––– 50
µA
V
DS
= 100v, v
GS
= 0v
––– ––– 500 V
DS
= 80v, v
GS
= 0v, t
J
= 125°c
门-至-源 向前 泄漏 ––– ––– 200 V
GS
= 20v
门-至-源 反转 泄漏 ––– ––– -200
nA
V
GS
= -20v
Q
g
总的 门 承担 ––– 250 380 I
D
= 180a
Q
gs
门-至-源 承担 ––– 40 60 nC V
DS
= 80v
Q
gd
门-至-流 ("miller") 承担 ––– 110 165 V
GS
= 10.0v, 看 图. 6 和 13
t
d(在)
转变-在 延迟 时间 ––– 45 ––– V
DD
= 50v
t
r
上升 时间 ––– 351 ––– I
D
= 180a
t
d(止)
转变-止 延迟 时间 ––– 181 ––– R
G
= 2.0
W
(内部的)
t
f
下降 时间 ––– 335 ––– R
D
= 0.27
w,
看 图. 10
L
s
内部的 源 电感 ––– 5.0 ––– nH 含铅的,
和 中心 的 消逝 联系
C
iss
输入 电容 ––– 10700 ––– V
GS
= 0v
C
oss
输出 电容 ––– 2800 ––– pF V
DS
= 25v
C
rss
反转 转移 电容 ––– 1300 ––– ƒ = 1.0mhz, 看 图. 5
电的 特性 @ t
J
= 25°c (除非 否则 指定)
I
GSS
ns
I
DSS
流-至-源 泄漏 电流
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