HEXFET
®
电源 场效应晶体管
第三 一代 hexfets 从 国际的 整流器 提供 这 设计者
和 这 最好的 结合体 的 快 切换, 加固 设备 设计, 低 在-
阻抗 和 费用-成效.
这 至-220 包装 是 universally preferred 为 所有 商业的-工业的
产品 在 电源 消耗 水平 至 大概 50 watts. 这 低
热的 阻抗 和 低 包装 费用 的 这 至-220 contribute 至 它的 宽
acceptance 全部地 这 工业.
S
D
G
参数 最大值 单位
I
D
@ t
C
= 25°c 持续的 流 电流, v
GS
@ 10v 9.2
I
D
@ t
C
= 100°c 持续的 流 电流, v
GS
@ 10v 5.8 一个
I
DM
搏动 流 电流
37
P
D
@T
C
= 25°c 电源 消耗 170 W
直线的 减额 因素 1.3 w/°c
V
GS
门-至-源电压 ± 30 V
E
作
单独的 脉冲波 avalanche 活力
290 mJ
I
AR
avalanche 电流
9.2 一个
E
AR
repetitive avalanche 活力
17 mJ
dv/dt 顶峰 二极管 恢复 dv/dt
5.0 v/ns
T
J
运行 接合面 和 -55 至 + 150
T
STG
存储 温度 范围
焊接 温度, 为 10 秒 300 (1.6mm 从 情况 )
°C
挂载 torque, 6-32 或者 m3 srew 10 lbf•in (1.1n•m)
绝对 最大 比率
参数 典型值 最大值 单位
R
θ
JC
接合面-至-情况 ––– 0.75
R
θ
CS
情况-至-下沉, flat, greased 表面 0.50 ––– °c/w
R
θ
JA
接合面-至-包围的 ––– 62
热的 阻抗
V
DSS
= 600v
R
ds(在)
= 0.75
Ω
I
D
= 9.2a
动态 dv/dt 比率
repetitive avalanche 评估
快 切换
使容易 的 paraleling
简单的 驱动 (所需的)东西
描述
10/7/98
www.irf.com 1
至-220AB
IRFB9N60A
pd - 91811
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