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资料编号:321762
 
资料名称:FBA75CA45
 
文件大小: 113.88K
   
说明
 
介绍:
MOSFET MODULE
 
 


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1
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sanrex 50 seaview blvd. 端口 washington, ny 11050-4618 ph.(516)625-1313 fax(516)625-8845 e-mail: semi@sanrex.com
fba75ca45/50
场效应晶体管 单元
ul;e76102 M
fba75ca45/50
是 一个 双 电源 场效应晶体管 单元 设计 为 快 swiching
产品 的 高 电压 和 电流. 2 设备 是 串行 连接.
挂载 根基 的 这 单元 是 用电气 分开的 从 半导体 elements 为
简单的 散热器 构建.
I
D
75a, v
DSS
500V
合适的 为 高 速 切换 产品.
低 在 阻抗.
宽 safe 运行 areas.
产品
UPS CVCF , 发动机 控制, 切换 电源 供应, 等
107.5 0.6
19
1432
19 19
名字 加设护板
2 6.5
93 0.3
35 0.6
31max
30max
4 M5
8
4174
765
TAB 110
单位
一个
最大 比率
Tj 25
标识
Item 情况
比率
FBA75CA45 FBA75CA50
单位
V
DSS
流-源 电压 450 500 V
V
GSS
门-源 电压
20
V
I
D
电流
d.c.
脉冲波
职责 36%
75
一个
I
DP
150
-i
D
源 电流 75 一个
P
T
总的 电源 消耗
Tc 25
400 W
Tj 频道 温度 150
Tstg 存储 温度
40 125
V
ISO
分开 电压 r.m.s.
一个.c. 1minute 2500 V
挂载
Torque
挂载 M6
终端 M5
推荐 值 2.5
-
3.9 25
-
40
4.7 48
N m
kgf
B
推荐 值 1.5
-
2.5 15
-
25 2.7 28
Mass 典型 值 220 g
q
i
u
y
t
w
er
电的 特性
Tj 25
标识
Item 情况
比率
最小值 典型值 最大值
1.0
单位
I
GSS
门 泄漏 电流
V
GS
20V V
DS
0V
一个
1.0I
DSS
零 门 电压 流 电流
V
GS
0V V
DS
500V
毫安
450
V
BR DSS
流-源
损坏 电压
FBA75CA45
FBA75CA50
V
GS
0V I
D
1mA
V
500
1.0 5.0V
GS th
门-源 门槛 电压
V
DS
V
GS
I
D
10mA
V
0.10R
DS
流-源 在-状态 阻抗
I
D
40A V
GS
15V
4.0V
DS
流-源 在-状态 电压
I
D
40A V
GS
15V
V
40gfs 向前 跨导
V
DS
10V V
D
40A
S
13500Ciss 输入 电容
V
GS
0V V
DS
25V f 1.0mhz
pF
2500Coss 输出 电容
V
GS
0V V
DS
25V f 1.0mhz
pF
1000Crss
反转 转移 电容
V
GS
0V V
DS
25V f 1.0mhz
pF
60
tr
切换
时间
上升 时间
转变-在 延迟 时间
下降 时间
转变-止 延迟 时间
R
L
7.5 R
GS
50 V
GS
15V
I
D
40A R
G
5
ns
120
td
700
tf 210
td
1.5V
SDS
二极管 向前 电压
I
D
40A V
GS
0V
V
700trr 反转 恢复 时间
I
D
40A V
GS
0V di
/
dt 100A
/
s
ns
0.31
Rth j-c
热的 阻抗
/
W
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