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资料编号:322405
 
资料名称:FCH20N60
 
文件大小: 694.67K
   
说明
 
介绍:
600V N-Channel MOSFET
 
 


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www.fairchildsemi.com
fch20n60 / fca20n60 rev. 一个
fch20n60 / fca20n60 600v n-频道 场效应晶体管
包装 标记 和 订货 信息
电的 特性
T
C
= 25°c 除非 否则 指出
注释:
1. repetitive 比率: 脉冲波 宽度 限制 用 最大 接合面 温度
2. i
= 20a, v
DD
= 50v, r
G
= 25
, 开始 t
J
= 25
°
C
3. i
SD
20a, di/dt
200a/
µ
s, v
DD
BV
DSS
, 开始 t
J
= 25
°
C
4. 脉冲波 测试: 脉冲波 宽度
300
µ
s, 职责 循环
2%
5. essentially 独立 的 运行 温度 典型 特性
设备 标记 设备 包装 卷轴 大小 录音带 宽度 Quantity
FCH20N60 FCH20N60 至-247 - - 30
FCA20N60 FCA20N60 至-3p - - 30
标识 参数 情况 最小值 典型值 最大值 单位
止 特性
BV
DSS
流-源 损坏 电压 V
GS
= 0v, i
D
= 250
µ
一个, t
J
= 25
°
C 600 -- -- V
V
GS
= 0v, i
D
= 250
µ
一个, t
J
= 150
°
c--650--v
BV
DSS
/
T
J
损坏 电压 温度
系数
I
D
= 250
µ
一个, 关联 至 25
°
c--0.6--v/
°
C
BV
DS
流-源 avalanche 损坏
电压
V
GS
= 0v, i
D
= 20a -- 700 -- V
I
DSS
零 门 电压 流 电流 V
DS
= 600v, v
GS
= 0v
V
DS
= 480v, t
C
= 125
°
C
--
--
--
--
1
10
µ
一个
µ
一个
I
GSSF
门-身体 泄漏 电流, 向前 V
GS
= 30v, v
DS
= 0v -- -- 100 nA
I
GSSR
门-身体 泄漏 电流, 反转 V
GS
= -30v, v
DS
= 0v -- -- -100 nA
在 特性
V
gs(th)
门 门槛 电压 V
DS
= v
GS
, i
D
= 250
µ
a3.0--5.0v
R
ds(在)
静态的 流-源
在-阻抗
V
GS
= 10v, i
D
= 10a -- 0.15 0.19
g
FS
向前 跨导 V
DS
= 40v, i
D
= 10a
(便条 4)
-- 17 -- S
动态 特性
C
iss
输入 电容 V
DS
= 25v, v
GS
= 0v,
f = 1.0mhz
-- 2370 3080 pF
C
oss
输出 电容 -- 1280 1665 pF
C
rss
反转 转移 电容 -- 95 -- pF
C
oss
输出 电容 V
DS
= 480v, v
GS
= 0v, f = 1.0mhz -- 65 85 pF
C
oss
eff. 有效的 输出 电容 V
DS
= 0v 至 400v, v
GS
= 0v -- 165 -- pF
切换 特性
t
d(在)
转变-在 延迟 时间 V
DD
= 300v, i
D
= 20a
R
G
= 25
(便条 4, 5)
-- 62 135 ns
t
r
转变-在 上升 时间 -- 140 290 ns
t
d(止)
转变-止 延迟 时间 -- 230 470 ns
t
f
转变-止 下降 时间 -- 65 140 ns
Q
g
总的 门 承担 V
DS
= 480v, i
D
= 20a
V
GS
= 10v
(便条 4, 5)
-- 75 98 nC
Q
gs
门-源 承担 -- 13.5 18 nC
Q
gd
门-流 承担 -- 36 -- nC
流-源 二极管 特性 和 最大 比率
I
S
最大 持续的 流-源 二极管 向前 电流 -- -- 20 一个
I
SM
最大 搏动 流-源 二极管 向前 电流 -- -- 60 一个
V
SD
流-源 二极管 向前 电压 V
GS
= 0v, i
S
= 20a -- -- 1.4 V
t
rr
反转 恢复 时间 V
GS
= 0v, i
S
= 20a
dI
F
/dt =100a/
µ
s
(便条 4)
-- 530 -- ns
Q
rr
反转 恢复 承担 -- 10.5 --
µ
C
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