SuperFET
©2004 仙童 半导体 公司 rev. b, march 2004
fcp11n60/fcpf11n60
TM
fcp11n60/fcpf11n60
一般 描述
SuperFET
TM
是 一个 新 一代 的 高 电压 mosfets
从 仙童 和 优秀的 低 在-阻抗 和 低
门 承担 效能, 一个 结果 的 专卖的 技术
utilizing 先进的 承担 balance mechanisms.
这个 先进的 技术 有 被 tailored 至 降低
传导 丧失, 提供 更好的 切换 效能,
和 承受 extreme dv/dt 比率 和 高等级的 avalanche
活力. consequently, superfet 是 非常 合适的 为
各种各样的 交流/直流 电源 转换 在 切换 模式
运作 为 系统 miniaturization 和 高等级的 效率.
特性
• 650v @t
j
= 150
°
C
• 典型值 rds(在)=0.32
Ω
• 过激 低 门 承担 (典型值. qg=40nc)
• 低 有效的 输出 电容 (典型值. coss.eff=95pf)
• 100% avalanche 测试
绝对 最大 比率
T
C
= 25°c 除非 否则 指出
* 流 电流 限制 用 最大 接合面 termperature
热的 特性
标识 参数 FCP11N60 FCPF11N60 单位
I
D
流 电流
- 持续的 (t
C
= 25°c)
11 11* 一个
- 持续的 (t
C
= 100°c)
77*A
I
DM
流 电流 - 搏动
(便条 1)
33 33* 一个
V
GSS
门-源 电压
±
30 V
E
作
单独的 搏动 avalanche 活力
(便条 2)
340 mJ
I
AR
avalanche 电流
(便条 1)
11 一个
E
AR
repetitive avalanche 活力
(便条 1)
12.5 mJ
dv/dt 顶峰 二极管 恢复 dv/dt
(便条 3)
4.5 v/ns
P
D
电源 消耗 (t
C
= 25°c)
125 36 W
- 减额 在之上 25°c 1.0 0.29 w/°c
T
J
, t
STG
运行 和 存储 温度 范围 -55 至 +150 °C
T
L
最大 含铅的 温度 为 焊接 目的,
1/8
"
从 情况 为 5 秒
300 °C
标识 参数 FCP11N60 FCPF11N60 单位
R
θ
JC
热的 阻抗, 接合面-至-情况 1.0 3.5 °C
/
W
R
θ
CS
热的 阻抗, 情况-至-下沉 0.5 -- °C
/
W
R
θ
JA
热的 阻抗, 接合面-至-包围的 62.5 62.5 °C
/
W
至-220
fcp 序列
G
S
D
至-220f
fcpf 序列
G
S
D
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S
D
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