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资料编号:322553
 
资料名称:FCX690B
 
文件大小: 83.09K
   
说明
 
介绍:
NPN SILICON POWER (SWITCHING) TRANSISTOR
 
 


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电的 特性 (在 t
amb
= 25°c)
参数 标识 最小值 典型值 最大值 单位 情况.
集电级-根基
损坏 电压
V
(br)cbo
45 V
I
C
=100
一个
集电级-发射级
损坏 电压
V
(br)ceo
45 V I
C
=10mA*
发射级-根基
损坏 电压
V
(br)ebo
5V
I
E
=100
一个
集电级 截-止 电流 I
CBO
0.1
一个
V
CB
=35V
发射级 截-止 电流 I
EBO
0.1
一个
V
EB
=4V
集电级-发射级
饱和 电压
V
ce(sat)
80
300
mV
mV
I
C
=0.1a, i
B
=0.5ma *
I
C
=1a, i
B
=5ma *
根基-发射级
饱和 电压
V
是(sat)
0.9 V I
C
=1a, i
B
=10ma *
根基-发射级
转变-在 电压
V
是(在)
0.85 V I
C
=1a, v
CE
=2v *
静态的 向前 电流
转移
比率
h
FE
500
400
150
I
C
=100ma, v
CE
=2V*
I
C
=1a, v
CE
=2V*
I
C
=2a, v
CE
=2V*
转变 频率 f
T
150 MHz I
C
=50ma, v
CE
=5V
f=50MHz
输入 电容 C
ibo
200 pF V
EB
=0.5v, f=1mhz
输出 电容 C
obo
16 pF V
CB
=10v, f=1mhz
切换 时间 t
t
33
1300
ns
ns
I
C
=500ma, i
B1
=I
B2
=50mA
V
CC
=10V
*measured 下面 搏动 情况. 脉冲波 宽度=300
s. 职责 循环
2%
FCX690B
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