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资料编号:322837
 
资料名称:FDA59N25
 
文件大小: 627.32K
   
说明
 
介绍:
250V N-Channel MOSFET
 
 


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3
www.fairchildsemi.com
fda59n25 rev. 一个
fda59n25 250v n-频道 场效应晶体管
典型 效能 特性
图示 1. 在-区域 特性 图示 2. 转移 特性
图示 3. 在-阻抗 变化 vs. 图示 4. 身体 二极管 向前 电压
流 电流 和 门 电压 变化 vs. 源 电流
和 temperatue
图示 5. 电容 特性 图示 6. 门 承担 特性
10
-1
10
0
10
1
10
0
10
1
10
2
V
GS
顶 : 15.0 v
10.0 v
8.0 v
7.0 v
6.5 v
bottom : 6.0 v
* 注释 :
1. 250
µ
s 脉冲波 测试
2. t
C
= 25
°
C
I
D
, 流 电流 [a]
V
DS
, 流-源 电压 [v]
2 4 6 8 10 12
10
0
10
1
10
2
150
°
C
25
°
C
-55
°
C
* 注释 :
1. v
DS
= 40v
2. 250
µ
s 脉冲波 测试
I
D
, 流 电流 [a]
V
GS
, 门-源 电压 [v]
0 25 50 75 100 125 150 175
0.00
0.03
0.06
0.09
0.12
0.15
V
GS
= 20v
V
GS
= 10v
* 便条 : t
J
= 25
°
C
R
ds(在)
[
],
流-源 在-阻抗
I
D
, 流 电流 [a]
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8
10
0
10
1
10
2
150
°
C
* 注释 :
1. v
GS
= 0v
2. 250
µ
s 脉冲波 测试
25
°
C
I
DR
, 反转 流 电流 [a]
V
SD
, 源-流 电压 [v]
10
-1
10
0
10
1
0
2000
4000
6000
8000
C
iss
= c
gs
+ c
gd
(c
ds
= 短接)
C
oss
= c
ds
+ c
gd
C
rss
= c
gd
* 便条 ;
1. v
GS
= 0 v
2. f = 1 mhz
C
rss
C
oss
C
iss
capacitances [pf]
V
DS
, 流-源 电压 [v]
0 10203040506070
0
2
4
6
8
10
12
V
DS
= 125v
V
DS
= 50v
V
DS
= 200v
* 便条 : i
D
= 59a
V
GS
, 门-源 电压 [v]
Q
G
, 总的 门 承担 [nc]
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