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资料编号:322965
 
资料名称:FDC5612
 
文件大小: 244.72K
   
说明
 
介绍:
60V N-Channel PowerTrenchTM MOSFET
 
 


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FDC5612
fdc5612 rev. c
典型 特性
图示 3. 在-阻抗 变化
和 温度.
图示 4. 在-阻抗 变化
和 门-至-源 电压.
图示 5. 转移 特性. 图示 6. 身体 二极管 向前 voltage
变化 和 源 电流
和 温度.
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
T
J
, 接合面 温度 (
o
c)
R
ds(在)
, normalized
流-源 在-阻抗
I
D
= 4.3a
V
GS
= 10v
0
4
8
12
16
20
123456
V
GS
, 门 至 源 电压 (v)
I
D
, 流 电流 (一个)
T
一个
= -55
o
C
25
o
C
125
o
C
V
DS
= 5v
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
048121620
I
D
, 流 电流 (一个)
R
ds(在)
, normalized
流-源 在-resistan
C
V
GS
= 4.0v
10V
5.0v
4.5v
6.0v
8.0v
0
0.02
0.04
0.06
0.08
0.1
0.12
0.14
246810
V
GS
, 门 至 源 电压 (v)
R
ds(在)
, 在-阻抗 (ohm)
I
D
= 2.2a
T
一个
= 125
o
C
T
一个
= 25
o
C
0
4
8
12
16
20
01234
V
DS
, 流-源 电压 (v)
I
D
, 流-源 电流 (一个)
V
GS
= 10v
6.0v
5.0v
4.5v
4.0v
3.5v
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2
V
SD
, 身体 二极管 向前 电压 (v)
I
S
, 反转 流 电流 (一个)
T
一个
= 125
o
C
25
o
C
-55
o
C
V
GS
= 0v
图示 1. 在-区域 特性.
图示 2. 在-阻抗 变化
和 流 电流 和 门 电压.
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