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资料编号:322967
 
资料名称:FDC5614P
 
文件大小: 140.42K
   
说明
 
介绍:
60V P-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET
 
 


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二月 2002
2002 仙童 半导体 公司
fdc5614p rev c1 (w)
FDC5614P
60v p-频道 逻辑 水平的 powertrench

场效应晶体管
一般 描述
这个 60v p-频道 场效应晶体管 使用 仙童’s 高
电压 powertrench 处理. 它 有 被 优化 为
电源 管理 产品.
产品
加载 转变
电源 管理
特性
–3 一个, –60 v. R
ds(在)
= 0.105
@ v
GS
= –10 v
R
ds(在)
= 0.135
@ v
GS
= –4.5 v
快 切换 速
高 效能 trench 技术 为 极其
低 r
ds(在)
D
D
D
S
D
G
supersot -6
TM
6
5
4
1
2
3
绝对 最大 比率
T
一个
=25
o
c 除非 否则 指出
标识 参数 比率 单位
V
DSS
流-源 电压 –60 V
V
GSS
门-源 电压
±
20
V
I
D
流 电流 – 持续的
(便条 1a)
–3 一个
– 搏动 –20
最大 电源 消耗
(便条 1a)
1.6 WP
D
(便条 1b)
0.8
T
J
, t
STG
运行 和 存储 接合面 温度 范围 –55 至 +150
°
C
热的 特性
R
θ
JA
热的 阻抗, 接合面-至-包围的
(便条 1a)
78
°
c/w
R
θ
JC
热的 阻抗, 接合面-至-情况
(便条 1)
30
°
c/w
包装 标记 和 订货 信息
设备 标记 设备 卷轴 大小 录音带 宽度 Quantity
.564 fdc5614p 7’’ 8mm 3000 单位
FDC5614P
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