April1999
FDC6321C
双 n &放大; p channel,数字的 场效应晶体管
一般 描述特性
绝对 最大 比率
T
一个
= 25
o
c 除非 其它 wise 指出
标识 参数 n-频道 p-频道 单位
V
DSS
, v
CC
流-源 电压, 电源 供应 电压 25 -25 V
V
GSS
, v
在
门-源 电压, 8 -8 V
I
D
, i
O
流/输出 电流 - 持续的 0.68 -0.46 一个
- 搏动 2 -1.5
P
D
最大电源 消耗(便条 1a)
(便条 1b)
0.9 W
0.7
T
J
,t
STG
运行 和 存储 温度ature 范围r -55 至 150 °C
静电释放 静电的 释放 比率 mil-标准-883d
人 身体 模型 (100pf / 1500 ohm)
6 kV
热的 特性
R
θ
JA
热的 阻抗, 接合面-至-包围的(便条 1a) 140 °c/w
R
θ
JC
热的 阻抗, 接合面-至-情况(便条 1) 60 °c/w
FDC6321C.revb
n-ch 25v, 0.68一个,R
ds(在)
= 0.45
Ω
@ v
GS
=4.5V
P-ch -25v, -0.46一个,R
ds(在)
= 1.1
Ω
@ v
GS
=-4.5v.
非常 低 水平的 门 驱动 (所需的)东西 准许直接
运作 在 3 v 电路. v
gs(th)
< 1.0v.
门-源 齐纳 为静电释放 强壮.
>6kv 人 身体 模型
替代 多样的 双 npn &放大; pnp数字的 晶体管.
这些 双 n&放大; p channel 逻辑 水平的 增强 模式
地方 效应 晶体管 是 生产 使用 仙童's
专卖的, 高 cell 密度, dmos 技术. 这个 非常
高 密度 处理 是 特别 tailored 至 降低
在-状态 阻抗.这个设备 有 被 设计
特别 为 低 电压 产品 作 一个 替换 为
数字的 晶体管 在 加载 切换产品. 自从 偏差
电阻器 是 不 必需的 这个 双数字的场效应晶体管 能 替代
一些 数字的 晶体管 和 不同的 偏差 电阻器.
sot-23
SuperSOT
TM
-8
soic-16
所以-8
sot-223
SuperSOT
TM
-6
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1
5
3
2
6
4
D1
S2
G1
D2
S1
G2
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TM
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