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资料编号:323062
 
资料名称:FDC654P
 
文件大小: 74.61K
   
说明
 
介绍:
P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
FDC654Prev.c
0 1 2 3 4 5
0
3
6
9
12
15
-v , 流-源 电压 (v)
-i , 流-源 电流 (一个)
v = -10v
GS
DS
D
-6.0
-5.0
-3.0
-4.0
-3.5
-4.5
0 3 6 9 12 15
0.5
1
1.5
2
-i , 流 电流 (一个)
流-源 在-阻抗
v = -3.5 v
GS
D
r , normalized
ds(在)
-10
-4.5
-4.0
-6.0
-5.0
-5.5
-7.0
典型 电的 特性
图示 1. 在-区域 特性.
图示 2. 在-阻抗 变化 和
流 电流 和 门 电压.
图示 3. 在-阻抗 变化
和 温度.
图示 5. 转移 特性.
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2 1.4
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
15
-v , 身体 二极管 向前 电压 (v)
-i , 反转 流 电流 (一个)
t = 125°c
J
25°C
-55°c
v = 0v
GS
SD
S
图示 4.在-阻抗
变化
门-至-源 电压.
2 4 6 8 10
0.05
0.1
0.15
0.2
0.25
0.3
-v , 门 至 源 电压 (v)
GS
r , 在-阻抗 (ohm)
ds(在)
i = -1.8a
D
t = 125°c
一个
25°C
0 0.5 1 1.5 2 2.5 3
0
3
6
9
12
15
-v , 门 至 源 电压 (v)
-i , 流 电流 (一个)
v = -5.0v
DS
GS
D
t = -55°c
J
125°C
25°C
图示 6. 身体 二极管 向前电压
Variation和 源 电流
和 温度.
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
t , 接合面 温度 (°c)
流-源 在-阻抗
J
r , normalized
ds(在)
v = -10v
GS
i = -3.6a
D
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