july 2000
初步的
2000 仙童 半导体 公司
fdc645n rev b(w)
FDC645N
n-频道 powertrench
场效应晶体管
一般 描述
这个 n-频道 场效应晶体管 有 被 设计
specifically 至 改进 这 整体的 效率 的 直流/直流
转换器 使用 也 同步的 或者 常规的
切换 pwm 控制者. 它 有 被 优化 为
低 门 承担, 低 r
ds(在)
和 快 切换 速.
产品
•
直流/直流 转换器
特性
•
5.5 一个, 30 v. R
ds(在)
= 30 m
Ω
@ v
GS
= 4.5 v
R
ds(在)
= 26 m
Ω
@ v
GS
= 10 v
•
高 效能 trench 技术 为 极其
低 r
ds(在)
•
低 门 承担 (13 nc 典型)
•
高 电源 和 电流 处理 能力
D
D
D
S
D
G
supersot -6
TM
6
5
4
1
2
3
绝对 最大 比率
T
一个
=25
o
c 除非 否则 指出
标识 参数 比率 单位
V
DSS
流-源 电压 30 V
V
GSS
门-源 电压
±
12
V
I
D
流 电流 – 持续的
(便条 1a)
5.5 一个
– 搏动 20
最大 电源 消耗
(便条 1a)
1.6 WP
D
(便条 1b)
0.8
T
J
, t
STG
运行 和 存储 接合面 温度 范围 -55 至 +150
°
C
热的 特性
R
θ
JA
热的 阻抗, 接合面-至-包围的
(便条 1a)
78
°
c/w
R
θ
JC
热的 阻抗, 接合面-至-情况
(便条 1)
30
°
c/w
包装 标记 和 订货 信息
设备 标记 设备 卷轴 大小 录音带 宽度 Quantity
.645 FDC645N 7’’ 8mm 3000 单位
FDC645N
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