March1999
FDC6323L
整体的 加载 转变
一般 描述 特性
绝对 最大比率
T
一个
= 25°c 除非 否则 指出
标识 参数 FDC6323L 单位
V
在
输入 电压范围 3 - 8 V
V
开关
开关 电压 范围 1.5 - 8 V
I
L
加载 电流 @ v
漏出
=0.5v - 持续的(便条 1) 1.5 一个
- 搏动(便条 1 &放大; 3) 2.5
P
D
最大 电源 消耗(便条 2a) 0.7 W
T
J
,t
STG
运行 和 存储 温度 范围 -55 至 150 °C
静电释放 静电的 释放 比率 mil-标准-883d 人 身体
模型 (100pf/1500ohm)
6 kV
热的 特性
R
θ
JA
热的 阻抗, 接合面-至-包围的(便条 2a) 180 °c/w
R
θ
JC
热的 阻抗, 接合面-至-情况(便条 2) 60 °c/w
FDC6323Lrev.f
这些整体的 加载 转变es 是 生产 使用
仙童's 专卖的, 高 cell 密度, dmos
技术. 这个 非常 高 密度 处理 是
特别 tailored 至 降低 在-状态 阻抗 和
提供 更好的 切换 效能. 这些
设备 是 特别 suited 为 低 电压 高
一侧 加载 转变 应用 在哪里 低 传导 丧失
和 使容易 的 驱动 是 需要.
V
漏出
=0.2v@ v
在
=5v,I
L
=1一个,V
开关
= 1.5v 至8V
V
漏出
=0.3v@ v
在
=3.3v,I
L
=1一个,V
开关
= 1.5v 至 8v.
高 密度 cell 设计为 极其 低 在-阻抗.
V
开关
齐纳 保护 为 静电释放 强壮.
>6kv 人 身体 模型.
SuperSOT
TM
-6 包装 设计 使用 铜 含铅的 框架
为 更好的 热的 和 电的 能力.
看 应用 电路
1
5
6
3
2
V在,r1
vout,c1
R2
在/oFF
r1,c1
Q2
Q1
vout,c1
4
IN
输出
在/oFF
相等的 电路
V
漏出
+
-
supersot -6
TM
管脚
1
sot-23
SuperSOT
TM
-8
soic-16
所以-8
sot-223
SuperSOT
TM
-6
© 1999 仙童 半导体 公司
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