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资料编号:323171
 
资料名称:FDD45AN06LA0
 
文件大小: 228.08K
   
说明
 
介绍:
N-Channel PowerTrench MOSFET 60V, 22A, 45m
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
©2004 仙童 半导体 公司 fdd45an06la0 rev. 一个
FDD45AN06LA0
热的 阻抗 vs. 挂载 垫子 范围
这 最大 评估 接合面 温度, t
JM
, 和 这
热的 阻抗 的 这 热温 dissipating path 确定
这 最大 容许的 设备 电源 消耗, p
DM
, 在 一个
应用. 因此 这 应用’s 包围的
温度, t
一个
(
o
c), 和 热的 阻抗 r
θ
JA
(
o
c/w)
必须 是 reviewed 至 确保 那 t
JM
是 从不 超过.
等式 1 mathematically 代表 这 relationship 和
serves 作 这 基准 为 establishing 这 比率 的 这 部分.
在 使用 表面 挂载 设备 此类 作 这 至-252
包装, 这 环境 在 这个 它 是 应用 将 有 一个
重大的 影响 在 这 部分’s 电流 和 最大
电源 消耗 比率. 准确的 determination 的 p
DM
complex 和 影响 用 许多 factors:
1. 挂载 垫子 范围 面向 这个 这 设备 是 连结 和
whether 那里 是 铜 在 一个 一侧 或者 两个都 sides 的 这
板.
2. 这 号码 的 铜 layers 和 这 厚度 的 这
板.
3. 这 使用 的 外部 热温 sinks.
4. 这 使用 的 热的 vias.
5. 空气 流动 和 板 方向.
6. 为 非 稳步的 状态 产品, 这 脉冲波 宽度, 这
职责 循环 和 这 瞬时 热的 回馈 的 这 部分,
这 板 和 这 环境 它们 是 在.
仙童 提供 热的 信息 至 assist 这
设计者’s 初步的 应用 evaluation. 图示 21
定义 这 r
θ
JA
为 这 设备 作 一个 函数 的 这 顶
铜 (组件 一侧) 范围. 这个 是 为 一个 horizontally
positioned fr-4 板 和 1oz 铜 之后 1000 秒
的 稳步的 状态 电源 和 非 空气 流动. 这个 图表 提供
这 需要 信息 为 计算 的 这 稳步的 状态
接合面 温度 或者 电源 消耗. 脉冲波
产品 能 是 evaluated 使用 这 仙童 设备
额外的刺激 热的 模型 或者 manually utilizing 这 normalized
最大 瞬时 热的 阻抗 曲线.
热的 抵制 相应的 至 其它 铜 areas
能 是 得到 从 图示 21 或者 用 计算 使用
等式 2 或者 3. 等式 2 是 使用 为 铜 范围 定义
在 英寸 正方形的 和 等式 3 是 为 范围 在 centimeters
正方形的. 这 范围, 在 正方形的 英寸 或者 正方形的 centimeters 是
这 顶 铜 范围 包含 这 门 和 源 焊盘.
(eq. 1)
P
DM
T
JM
T
一个
()
R
θ
JA
-----------------------------=
范围 在 英寸 squared
(eq. 2)
R
θ
JA
33.32
23.84
0.268
范围
+
()
-------------------------------------+
=
(eq. 3)
R
θ
JA
33.32
154
1.73
范围
+
()
----------------------------------+
=
范围 在 centimeters squared
25
50
75
100
125
0.01 0.1 1 10
(0.645) (6.45) (64.5)(0.0645)
图示 21. 热的 阻抗 vs 挂载
垫子 范围
R
θ
JA
= 33.32+ 23.84/(0.268+area) eq.2
R
θ
JA
(
o
c/w)
范围, 顶 铜 范围 在
2
(cm
2
)
R
θ
JA
= 33.32+ 154/(1.73+area) eq.3
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