©2005 仙童 半导体 公司
fdd8878 / fdu8878 rev. a3
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fdd8878 / fdu8878 n-频道 powertrench
®
场效应晶体管
2
绝对 最大 比率
T
C
= 25°c 除非 否则 指出
热的 特性
包装 标记 和 订货 信息
电的 特性
T
C
= 25°c 除非 否则 指出
止 特性
在 特性
标识 参数 比率 单位
V
DSS
流 至 源 电压 30 V
V
GS
门 至 源 电压
±
20 V
I
D
流 电流
40 一个
持续的 (t
C
= 25
o
c, v
GS
= 10v) (便条 1)
持续的 (t
C
= 25
o
c, v
GS
= 4.5v) (便条 1) 36 一个
持续的 (t
amb
= 25
o
c, v
GS
= 10v, 和 r
θ
JA
= 52
o
c/w) 11 一个
搏动 图示 4 一个
E
作
单独的 脉冲波 avalanche 活力 (便条 2) 25 mJ
P
D
电源 消耗 40 W
减额 在之上 25
o
c0.27w/
o
C
T
J
, t
STG
运行 和 存储 温度 -55 至 175
o
C
R
θ
JC
热的 阻抗 接合面 至 情况 至-252, 至-251 3.75
o
c/w
R
θ
JA
热的 阻抗 接合面 至 包围的 至-252, 至-251 100
o
c/w
R
θ
JA
热的 阻抗 接合面 至 包围的 至-252, 1in
2
铜 垫子 范围 52
o
c/w
设备 标记 设备 包装 卷轴 大小 录音带 宽度 Quantity
FDD8878 FDD8878 至-252aa 13” 12mm 2500 单位
FDU8878 FDU8878 至-251aa Tube n/一个 75 单位
FDD8878 fdd8878_nl (便条 3) 至-252aa 13” 12mm 2500 单位
FDU8878 fdu8878_nl (便条 3) 至-251aa Tube n/一个 75 单位
标识 参数 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
B
VDSS
流 至 源 损坏 电压 I
D
= 250
µ
一个, v
GS
= 0v 30 - - V
I
DSS
零 门 电压 流 电流
V
DS
= 24v - - 1
µ
一个
V
GS
= 0v T
C
= 150
o
c- -250
I
GSS
门 至 源 泄漏 电流 V
GS
=
±
20V - -
±
100 nA
V
gs(th)
门 至 源 门槛 电压 V
GS
= v
DS
, i
D
= 250
µ
一个 1.2 - 2.5 V
r
ds(在)
流 至 源 在 阻抗
I
D
= 35a, v
GS
= 10v - 0.011 0.015
Ω
I
D
= 35a, v
GS
= 4.5v - 0.014 0.0185
I
D
= 35a, v
GS
= 10v,
T
J
= 175
o
C
- 0.018 0.024