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©2004 仙童 半导体 公司 fdd8874 / fdu8874 rev.b
FDD8874/FDU8874
图示 11.  normalized 门 门槛 电压 vs
接合面 温度
图示 12.  normalized 流 至 源
损坏 电压 vs 接合面 温度
图示 13.  电容 vs 流 至 源
电压
图示 14.  门 承担 波形 为 常量
门 电流
典型 特性
T
C
= 25°c 除非 否则 指出
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
-80 -40 0 40 80 120 160 200
V
GS
= v
DS
, i
D
= 250
µ
一个
NORM一个LIZE D G一个TE
T
J
, 接合面 温度 (
o
c)
THRESHOLDV OLT一个G E
0.90
0.95
1.00
1.05
1.10
-80 -40 0 40 80 120 160 200
T
J
, 接合面 温度 (
o
c)
NORM一个LI ZE DDRAINTO SOURCE
I
D
= 250
µ
一个
BRE AKDOWNVOLT一个GE
100
1000
0.1 1 10
5000
30
C, CAP 交流ITANCE(pF)
V
DS
, 流 至 源 电压 (v)
V
GS
= 0v, f = 1mhz
C
ISS
=
C
GS
+ c
GD
C
OSS
≅
C
DS
+ c
GD
C
RSS
=
C
GD
0
2
4
6
8
10
0 10 20 30 40 50 60
V
GS
,G 一个TE TOSO URCE VOLT一个GE(V)
Q
g
, 门 承担 (nc)
V
DD
= 15v
I
D
= 35a
I
D
= 1a
波形 在
descending 顺序:

标　题:
内　容:
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©2004 仙童半导体公司 fdd8874 / fdu8874 rev.b FDD8874/FDU8874 图示 11. normalized 门门槛电压 vs 接合面温度图示 12. normalized 流至源损坏电压 vs 接合面温度图示 13. 电容 vs 流至源电压图示 14. 门承担波形为常量门电流典型特性 T C = 25°c 除非否则指出 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 -80 -40 0 40 80 120 160 200 V GS = v DS , i D = 250 µ 一个 NORM一个LIZE D G一个TE T J , 接合面温度 ( o c) THRESHOLDV OLT一个G E 0.90 0.95 1.00 1.05 1.10 -80 -40 0 40 80 120 160 200 T J , 接合面温度 ( o c) NORM一个LI ZE DDRAINTO SOURCE I D = 250 µ 一个 BRE AKDOWNVOLT一个GE 100 1000 0.1 1 10 5000 30 C, CAP 交流ITANCE(pF) V DS , 流至源电压 (v) V GS = 0v, f = 1mhz C ISS = C GS + c GD C OSS ≅ C DS + c GD C RSS = C GD 0 2 4 6 8 10 0 10 20 30 40 50 60 V GS ,G 一个TE TOSO URCE VOLT一个GE(V) Q g , 门承担 (nc) V DD = 15v I D = 35a I D = 1a 波形在 descending 顺序:

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