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资料编号:323192
 
资料名称:FDD6630A
 
文件大小: 147.57K
   
说明
 
介绍:
N-Channel PowerTrench⑩ MOSFET
 
 


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电的 特性
T
C
=25
o
c 除非 否则 指出
标识 参数 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
止 特性
BV
DSS
流-源 损坏 电压
V
GS
= 0 v, i
D
= 250
µ
一个
30 V
I
DSS
零 门 电压 流 电流 V
DS
= 24 v, v
GS
= 0 v 1
µ
一个
I
GSSF
门-身体 泄漏, 向前 V
GS
= 20 v, v
DS
= 0 v 100 nA
I
GSSR
门-身体 泄漏, 反转 V
GS
= -20 v, v
DS
= 0 v -100 nA
在 特性
(便条 2)
V
gs(th)
门 门槛 电压
V
DS
= v
GS
, i
D
= 250
µ
一个
13V
R
ds(在)
静态的 流-源
在-阻抗
V
GS
= 10 v, i
D
= 7.6 一个
V
GS
= 4.5 v, i
D
= 6.3 一个
0.035
0.050
流-源 二极管 特性 和 最大 比率
I
S
最大 持续的 流-源 二极管 向前 电流
21 一个
V
SD
流-源 二极管 向前
电压
V
GS
= 0 v, i
S
= 2.7 一个
1.2 V


θ
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
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
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θ


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