FDD6030L
fdd6030l rev. a1
FDD6030L
n-频道 逻辑 水平的 增强 模式 地方 效应
晶体管
特性
•
50 一个, 30 v. r
ds(在)
= 0.0135
Ω
@ v
GS
= 10 v
R
ds(在)
= 0.0200
Ω
@ v
GS
= 4.5 v.
•
低 门 承担.
•
快 切换 速.
•
低 crss.
1999 仙童 半导体 公司
july 1999
进步 信息
G
S
D
至-252
S
D
G
绝对 maximum比率
T
C
=25
o
c 除非 否则 指出
标识 参数 比率 单位
V
DSS
流-源 电压 30 V
V
GSS
门-源 电压
±
20 V
I
D
最大 流 电流 -持续的
(便条 1)
50
(便条 1a)
12
最大 流 电流 -搏动 150
一个
最大 电源 消耗 @ t
C
= 25
o
C
(便条 1)
60
T
一个
= 25
o
C
(便条 1a)
3.2
P
D
T
一个
= 25
o
C
(便条 1b)
1.3
W
T
J
, t
stg
运行 和 存储 接合面 温度 范围 -55 至 +150
°
C
热的 特性
R
θ
JC
热的 阻抗, 接合面-至- 情况
(便条 1)
2.1
°
c/w
39
°
c/wr
θ
JA
热的 阻抗, 接合面-至- 包围的
(便条 1a)
(便条 1b)
96
°
c/w
包装 标记 和 订货 信息
设备 标记 设备 卷轴 大小 录音带 宽度 Quantity
FDD6030L FDD6030L 13’’ 16mm 2500
一般 描述
这些 n-频道 逻辑 水平的 增强 模式 电源
地方 效应 晶体管 是 生产 使用 仙童’s
专卖的, 高 cell 密度, dmos 技术. 这个
非常 高 密度 处理 是 特别 tailored 至
降低 在-状态 阻抗. 这些 设备 是
特别 suited 为 低 电压 产品 此类 作
直流/直流 转换器 和 高 效率 切换 电路
在哪里 快 切换, 低 在-线条 电源 丧失, 和
阻抗 至 过往旅客 是 需要.
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