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资料编号:323328
 
资料名称:FDFS2P102A
 
文件大小: 145.55K
   
说明
 
介绍:
Integrated P-Channel PowerTrench MOSFET and Schottky Diode
 
 


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fdfs2p102a rev a1(w)
热的 特性
R
θ
JA
热的 阻抗, 接合面-至-包围的
(便条 1a)
78
°
c/w
R
θ
JC
热的 阻抗, 接合面-至-情况
(便条 1)
40
°
c/w
注释:
1.
R
θ
JA
是 这 总 的 这 接合面-至-情况 和 情况-至-包围的 热的 阻抗 在哪里 这 情况 热的 涉及 是 定义 作 这 所以lder 挂载 表面 的
这 流 管脚. r
θ
JC
是 有保证的 用 设计 当 r
θ
CA
是 决定 用 这 用户's 板 设计.
一个) 78°c/w 当
挂载 在 一个
0.5in
2
垫子 的 2
oz 铜
b) 125°c/w 当
挂载 在 一个
0.02 在
2
垫子 的
2 oz 铜
c) 135°c/w 当
挂载 在 一个
最小 垫子.
规模 1 : 1 在 letter 大小 paper
2.
脉冲波 测试: 脉冲波 宽度 < 300
µ
s, 职责 循环 < 2.0%
FDFS2P102A
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