电的 特性
(t
一个
= 25
o
c 除非 否则 指出 )
场效应晶体管 电的特性
标识 参数 情况 最小值 典型值 最大值 单位
BV
DSS
流-源 损坏 电压 V
GS
= 0 v, i
D
=250 µa 30 V
I
DSS
零 门 电压 流 电流 V
DS
= 24v,V
GS
= 0 v 1 µ一个
T
J
=125°C 20 µ一个
I
GSSF
门 - 身体 泄漏, 向前 V
GS
= 20 v,V
DS
= 0 v 100 nA
I
GSSR
门 - 身体 泄漏, 反转 V
GS
= -20 v,V
DS
= 0 v -100 nA
V
GS(th)
门 门槛 电压 V
DS
= v
GS
, i
D
= 250µ一个 1 1.7 3 V
R
ds(在)
静态的 流-源 在-阻抗V
GS
=10 v,I
D
= 6一个0.0250.035
Ω
V
GS
=4.5v,I
D
= 4.8一个 0.043 0.05
g
FS
向前 跨导 V
DS
= 10v, i
D
= 6一个 12 S
I
d(在)
在-状态 流 电流 V
GS
= 10v, v
DS
= 5 v 15 一个
C
iss
输入 电容 V
DS
= 15v, v
GS
= 0 v, 350 pF
C
oss
输出 电容 f = 1.0 mhz 220 pF
C
rss
反转 转移 电容 80 pF
Q
g
总的 门 承担 V
DS
= 15v, i
D
= 6一个,V
GS
= 10V 12 17 nC
t
d(在)
转变 - 在 延迟 时间 V
DD
= 10v, i
D
= 1一个,
V
GS
= 4.5v, r
GEN
= 6
Ω
7.5 15 ns
t
r
转变 - 在 上升 时间 12 25 ns
t
d(止)
转变 - 止 延迟 时间 13 25 ns
t
f
转变 - 止 下降 时间 6 15 ns
场效应晶体管 流-源 二极管 特性 和 最大 比率
I
S
最大 持续的 流-源 二极管 向前 电流 1.3 一个
V
SD
流-源 二极管 向前 电压 V
GS
= 0 v, i
S
= 1.3一个
(便条 2)
0.8 1.2 V
肖特基 二极管特性
B
V
反转 损坏 电压 I
R
= 1 毫安 30 V
I
R
反转 泄漏 V
R
= 30 v 0.5 毫安
V
F
向前 电压 I
F
= 0.1 一个 280 mV
I
F
= 3 一个 420
I
F
= 6 一个500
热的 特性
R
θ
JA
热的 阻抗, 接合面-至-包围的
(便条 1a)
78 °c/w
R
θ
JC
热的 阻抗, 接合面-至-情况
(便条 1)
40 °c/w
注释:
1. R
θ
JA
是 这 总 的 这 接合面-至-情况 和 情况-至-包围的 热的 阻抗 在哪里 这 情况 热的 涉及 是 定义 作 这焊盘 挂载 表面 的 这 流 管脚.R
θ
JC
是
有保证的用 设计 当 r
θ
CA
是 决定 用 这 用户's 板 设计.
规模 1 : 1 在 letter 大小 paper
2.脉冲波 测试: 脉冲波 宽度<
300µs, 职责 循环<2.0%.
fdfs6n303 rev. d1
c. 135
O
c/w 在一个 0.003在
2
垫子 的 2oz铜.
b. 125
O
c/w 在一个 0.02在
2
垫子 的2oz铜.
一个. 78
O
c/w 在一个 0.5在
2
垫子 的 2oz铜.
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