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资料编号:323352
 
资料名称:FDG6304P
 
文件大小: 227.13K
   
说明
 
介绍:
Dual P-Channel, Digital FET
 
 


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FDG6304Prev.e1
典型 电的 特性
图示 1. 在-区域 特性.
图示 2. 在-阻抗 变化 和
流 电流 和 门 电压.
图示 3. 在-阻抗 变化
和 温度.
图示 5. 转移 特性.
图示 4.在-阻抗
变化
门-至-源 电压.
0 1 2 3 4
0
0.3
0.6
0.9
1.2
-v , 流-源 电压 (v)
-i , 流-源 电流 (一个)
v =-4.5v
GS
DS
D
-1.5v
-2.7v
-2.5v
-2.0v
-3.0v
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2
0.5
1
1.5
2
2.5
-i , 流 电流 (一个)
流-源 在-阻抗
v = -2.0v
GS
D
r , normalized
ds(在)
-3.5v
-4.5v
-2.7v
-2.5v
-3.0v
1 2 3 4 5
0
1
2
3
4
5
-v , gate 至 源VOLTAGE(v)
R,在-阻抗(ohm)
GS
ds(在)
I=-0.2a
D
T=125°C
J
25°C
0.5 1 1.5 2 2.5 3
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
-v , 门 至 源 电压 (v)
-i , 流 电流 (一个)
v = -5v
DS
GS
D
t = -55°c
J
125°C
25°C
0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
-v , 身体 二极管 向前 电压 (v)
-i , 反转 流 电流 (一个)
t = 125°c
J
25°C
-55°c
v = 0v
GS
SD
S
图示 6. 身体 二极管 向前电压
Variation和 源 电流
和 温度.
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
t , 接合面 温度 (°c)
流-源 在-阻抗
J
r , normalized
ds(在)
v = -4.5v
GS
i = -0.41a
D
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