fdg901d rev. d (w)
典型 应用
电池 powered 系统 制造 extensive 用法 的 加载 切换, turning 这 电源 至
subsystems 止, 在 顺序 至 扩展 电池 生命. 电源 mosfets 是 使用 至 accomplish 这个
task. 在 pda’s 和 cell phones, 这些 mosfets 是 通常地 低 门槛 p-途径. 自从
这 负载 典型地 包含 绕过 电容 组件 (高 电容的 组件), 一个 高
inrush 电流 能 出现 当 这 加载 是 切换 在. 这个 inrush 电流 能 导致 过往旅客
在 这 主要的 电源 供应 disturbing 电路系统 有提供的 用 它.
这 simplest 方法 的 限制的 这 inrush 电流 是 至 控制 这 回转 比率 的 这 场效应晶体管
转变. 这个 能 是 完毕 和 外部 r/c 电路, 但是 这个 approach 能 occupy 重大的 pcb
范围, 和 involves 其它 compromises 在 效能. 这 回转 比率 控制 驱动器 ic fdg901d
是 specifically 设计 至 接口 低 电压 数字的 电路系统 和 电源 mosfets 和 减少
这 迅速 inrush 电流 在 加载 转变 产品. 这 ic 限制 inrush 电流 用 controlling 这
电流, 这个 驱动 这 门 的 这 p-频道 场效应晶体管 转变.
这 控制 输入 是 一个 cmos 兼容 输入 和 一个 最小 高 输入 电压 的 2.55v 和 一个
电源 栏杆 电压 的 6v. 因此, 它 是 兼容 和 任何 cmos 逻辑 电压 在
2.55v 和 5v 和 下面 这些 情况 那里 是 非 额外的 配置 必需的.
加载
Ig
应用 电路
1
3
5
4
2
回转 比率
控制
逻辑
信号
I
源
门
流
VDD
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