FDN5630
fdn5630 rev. c
march 2000
2000 仙童 半导体 公司
绝对 最大 比率
T
一个
= 25 c 除非 否则 指出
标识 参数 比率 单位
V
DSS
流-源 电压 60 V
V
GSS
门-源 电压
±
20
V
I
D
流 电流 - 持续的
(便条 1a)
1.7 一个
- 搏动 10
P
D
电源 消耗 为 单独的 运作
(便条 1a)
0.5 W
(便条 1b)
0.46
T
J
, t
stg
运行 和 存储 接合面 温度 范围 -55 至 +150
°
C
热的 特性
R
θ
JA
热的 阻抗, 接合面-至-包围的
(便条 1a)
250
°
c/w
R
θ
JC
热的 阻抗, 接合面-至-情况
(便条 1)
75
°
c/w
包装 标记 和 订货 信息
设备 标记 设备 卷轴 大小 录音带 宽度 Quantity
5630 FDN5630 7 8mm 3000 单位
GS
D
G
D
S
supersot -3
TM
一般 描述
这个 n-频道 场效应晶体管 有 被 设计 specifically
至 改进 这 整体的 效率 的 直流/直流 转换器 使用
也 同步的 或者 常规的 切换 pwm
控制者.
这个 场效应晶体管 特性 非常 低 r
ds(在)
在 一个 小 sot23
footprint. 仙童’s powertrench 技术 提供
faster 切换 比 其它 mosfets 和 comparable
R
ds(在)
规格. 这 结果 是 高等级的 整体的
效率 和 较少 板 空间.
产品
•
直流/直流 转换器
•
发动机 驱动
特性
•
1.7 一个, 60 v. R
ds(在)
= 0.100
Ω
@ v
GS
= 10 v
R
ds(在)
= 0.120
Ω
@ v
GS
= 6 v.
•
优化 为 使用 在 高 频率 直流/直流 转换器.
•
低 门 承担.
•
非常 快 切换.
•
SuperSOT
TM
- 3 提供 低 r
ds(在)
在 sot23 footprint.
FDN5630
60v n-频道 powertrench
场效应晶体管
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