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资料编号:323469
 
资料名称:FDN360P
 
文件大小: 231.67K
   
说明
 
介绍:
Single P-Channel PowerTrenchTM MOSFET
 
 


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FDN360P
fdn360p rev. d
典型 特性
图示 1. 在-区域 特性. 图示 2. 在-阻抗 变化
和 流 电流 和 门 电压.
图示 5. 转移 特性. 图示 6. 身体 二极管 向前 电压
变化 和 源 电流
和 温度.
图示 3. 在-阻抗 变化
和 温度.
图示 4. 在-阻抗 变化
和 门-至-源 电压.
0.8
0.9
1
1.1
1.2
1.3
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
T
J
, 接合面 温度 (
o
c)
R
ds(在)
, normalized
流-源 在-阻抗
I
D
= -2.0a
V
GS
= -10v
0
4
8
12
16
20
012345
-v
DS
, 流 至 源 电压 (v)
-i
D
, 流 电流 (一个)
V
GS
= -10v
-6.0v
-4.5v
-4.0v
-3.5v
-3.0v
-5.0v
0.5
1
1.5
2
2.5
048121620
-i
D
, 流 电流 (一个)
R
ds(在)
, normalized
流-源 在-阻抗
V
GS
= -4.0v
-4.5v
-5.0v
-6.0v
-7.0v
-10v
0
0.05
0.1
0.15
0.2
0.25
2345678910
-v
GS
, 门 至 源 电压 (v)
R
ds(在)
, 在 阻抗 (ohm)
I
D
= -1.0a
T
J
=125
o
C
25
o
C
0
2
4
6
8
10
12345
-v
GS
, 门 至 源 电压 (v)
-i
D
, 流 电流 (一个)
V
DS
= -5v
T
J
=-55
o
C
25
o
C
125
o
C
0.001
0.01
0.1
1
10
100
0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2 1.4
-v
SD
, 身体 二极管 电压 (v)
-i
S
, 反转 流 电流 (一个)
V
GS
= 0v
T
J
=125
o
C
25
o
C
-55
o
C
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